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半导体研究所 [82]
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Fabrication of ferromagnetic gamnsb by thermal diffusion of evaporated mn
期刊论文
Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 316, 期号: 1, 页码: 145-148
作者:
Yang, Guandong
;
Zhu, Feng
;
Dong, Shan
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2019/05/12
Diffusion
Physical vapor deposition processes
Magnetic materials
Semiconducting iii-v materials
Fabrication of ferromagnetic GaMnSb by thermal diffusion of evaporated Mn
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 316, 期号: 1, 页码: 145-148
Yang GD
;
Zhu F
;
Dong S
收藏
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浏览/下载:64/2
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提交时间:2011/07/05
Diffusion
Physical vapor deposition processes
Magnetic materials
Semiconducting III-V materials
GASB/MN DIGITAL ALLOYS
ROOM-TEMPERATURE FERROMAGNETISM
RAMAN-SCATTERING
MAGNETOTRANSPORT PROPERTIES
EPITAXIAL LAYERS
THIN-FILMS
SEMICONDUCTORS
STRAIN
MAGNETOELECTRONICS
SPINTRONICS
Influence of v/iii ratio on the structural and photoluminescence properties of in0.52alas/in0.53gaas metamorphic high electron mobility transistor grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
Chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 3, 页码: 1119-1123
作者:
Gao Hong-Ling
;
Zeng Yi-Peng
;
Wang Bao-Qiang
;
Zhu Zhan-Ping
;
Wang Zhan-Guo
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/05/12
Molecular beam epitaxy
Semiconducting iii-v materials
High electron mobility transistors
Influence of V/III ratio on the structural and photoluminescence properties of In0.52AlAs/In0.53GaAs metamorphic high electron mobility transistor grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 3, 页码: 1119-1123
Gao, HL
;
Zeng, YP
;
Wang, BQ
;
Zhu, ZP
;
Wang, ZG
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浏览/下载:54/6
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提交时间:2010/03/08
molecular beam epitaxy
semiconducting III-V materials
high electron mobility transistors
Photoluminescence study of algainp/gainp quantum well intermixing induced by zinc impurity diffusion
期刊论文
Journal of crystal growth, 2007, 卷号: 309, 期号: 2, 页码: 140-144
作者:
Lin, T.
;
Zheng, K.
;
Wang, C. L.
;
Ma, X. Y.
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
Diffusion
Metalorganic vapor phase epitaxy
Semiconducting iii-v materials
Laser diodes
Inas0.3sb0.7 films grown on (100) gasb substrates with a buffer layer by liquid-phase epitaxy
期刊论文
Journal of crystal growth, 2007, 卷号: 304, 期号: 2, 页码: 472-475
作者:
Gao, Fubao
;
Chen, NuoFu
;
Liu, Lei
;
Zhang, X. W.
;
Wu, Jinliang
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/05/12
Crystal structure
Liquid-phase epitaxy
Semiconducting iii-v materials
Metamorphic growth of 1.25-1.29 mu m ingaas quantum well lasers on gaas by molecular beam epitaxy
期刊论文
Journal of crystal growth, 2007, 卷号: 301, 页码: 971-974
作者:
Tangring, I.
;
Wang, S. M.
;
Sadeghi, M.
;
Larsson, A.
;
Wang, X. D.
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Metamorphic growth
Molecular beam epitaxy
Semiconducting iii-v materials
Laser diodes
Effect of growth conditions on the gan thin film by sputtering deposition
期刊论文
Journal of crystal growth, 2007, 卷号: 299, 期号: 2, 页码: 268-271
作者:
Zhang, C. G.
;
Bian, L. F.
;
Chen, W. D.
;
Hsu, C. C.
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/05/12
Phase equilibria
Radio-frequency magnetron sputtering
Sputtering
Gallium compounds
Gallium nitride
Semiconducting gallium compounds
Semiconducting iii-v materials
Mocvd-grown high-mobility al0.3ga0.7n/aln/gan hemt structure on sapphire substrate
期刊论文
Journal of crystal growth, 2007, 卷号: 298, 页码: 791-793
作者:
Wang, Xiaoliang
;
Wang, Cuimei
;
Hu, Guoxin
;
Mao, Hongling
;
Fang, Cebao
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/05/12
2deg
Electron mobility
Mocvd
Semiconducting iii-v materials
Hemt
Photoluminescence study of AlGaInP/GaInP quantum well intermixing induced by zinc impurity diffusion
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 309, 期号: 2, 页码: 140-144
Lin, T
;
Zheng, K
;
Wang, CL
;
Ma, XY
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浏览/下载:37/3
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提交时间:2010/03/08
diffusion
metalorganic vapor phase epitaxy
semiconducting III-V materials
laser diodes
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