×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [106]
内容类型
期刊论文 [94]
会议论文 [12]
发表日期
2020 [1]
2019 [1]
2018 [1]
2011 [5]
2010 [5]
2009 [4]
更多...
学科主题
半导体材料 [45]
半导体物理 [33]
光电子学 [13]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共106条,第1-10条
帮助
限定条件
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Optical Properties of Atomic Defects in Hexagonal Boron Nitride Flakes under High Pressure*
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2020, 卷号: 37, 期号: 4, 页码: 044204
作者:
Xiao-Yu Zhao
;
Jun-Hui Huang
;
Zhi-Yao Zhuo
;
Yong-Zhou Xue
;
Kun Ding
;
Xiu-Ming Dou
;
Jian Liu and Bao-Quan Sun
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2021/11/01
Defects coupling impacts on mono-layer wse2 tunneling field-effect transistors
期刊论文
Applied physics express, 2019, 卷号: 12, 期号: 3
作者:
Wu,Jixuan
;
Ma,Xiaolei
;
Chen,Jiezhi
;
Jiang,Xiangwei
收藏
  |  
浏览/下载:236/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Atomic defects in monolayer WSe 2 tunneling FETs studied by systematic ab initio calculations
期刊论文
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2018, 卷号: 11, 期号: 5, 页码: 054001
作者:
Jixuan Wu
;
Zhiqiang Fan
;
Jiezhi Chen
;
Xiangwei Jiang
收藏
  |  
浏览/下载:29/0
  |  
提交时间:2019/11/18
Strained and strain-relaxed epitaxial ge1-xsnx alloys on si(100) substrates
期刊论文
Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 5
作者:
Wang Wei
;
Su Shao-Jian
;
Zheng Jun
;
Zhang Guang-Ze
;
Zuo Yu-Hua
收藏
  |  
浏览/下载:112/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Gesn alloys
Strained
Strain-relaxed
Molecular beam epitaxy
Photoluminescence of CdSe nanowires grown with and without metal catalyst
期刊论文
nano research, 2011, 卷号: 4, 期号: 4, 页码: 343-359
作者:
Tan PH
收藏
  |  
浏览/下载:53/5
  |  
提交时间:2011/07/05
CdSe
nanowires
photoluminescence
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SHAPE-SELECTIVE SYNTHESIS
LIQUID-SOLID MECHANISM
OPTICAL-PROPERTIES
SILICON NANOWIRES
SI NANOWIRES
ZNSE NANOWIRES
SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS
STRUCTURAL-PROPERTIES
EPITAXIAL-GROWTH
A practical route towards fabricating GaN nanowire arrays
期刊论文
crystengcomm, 2011, 卷号: 13, 期号: 19, 页码: 5929-5935
Liu, JQ
;
Huang, J
;
Gong, XJ
;
Wang, JF
;
Xu, K
;
Qiu, YX
;
Cai, DM
;
Zhou, TF
;
Ren, GQ
;
Yang, H
收藏
  |  
浏览/下载:26/0
  |  
提交时间:2012/02/06
LIGHT-EMITTING-DIODES
EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
WELL NANOROD ARRAYS
ULTRAVIOLET-LIGHT
GROWTH
NANOGENERATORS
DISLOCATIONS
BRIGHTNESS
LAYERS
Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates
期刊论文
journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032
作者:
Pan X
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2011/09/14
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
PHASE EPITAXY
ALN INTERLAYERS
FILMS
STRESS
LAYERS
DISLOCATIONS
REDUCTION
DENSITY
DIODES
Defect properties of as-grown and electron-irradiated Te-doped GaSb studied by positron annihilation
期刊论文
semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75016
Li H
;
Zhou K
;
Pang JB
;
Shao YD
;
Wang Z
;
Zhao YW
收藏
  |  
浏览/下载:53/10
  |  
提交时间:2011/07/05
UNDOPED GALLIUM ANTIMONIDE
SELF-DIFFUSION
NATIVE DEFECTS
N-TYPE
CRYSTALS
CATHODOLUMINESCENCE
PHOTOLUMINESCENCE
SEMICONDUCTORS
SPECTROSCOPY
LUMINESCENCE
Defects in gallium nitride nanowires: first principles calculations
期刊论文
Journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: 6
作者:
Wang, Zhiguo
;
Li, Jingbo
;
Gao, Fei
;
Weber, William J.
收藏
  |  
浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Structural and magnetic properties of gan:sm:eu films fabricated by co-implantation method
期刊论文
Materials letters, 2010, 卷号: 64, 期号: 9, 页码: 1031-1033
作者:
Sun, Lili
;
Liu, Chao
;
Li, Jianming
;
Wang, Junxi
;
Yan, Fawang
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Magnetic materials
Semiconductors
Ion implantation
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace