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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Highly efficient photoluminescence of Er2SiO5 films grown by reactive magnetron sputtering method 期刊论文 journal of luminescence, 2010, 卷号: 130, 期号: 3, 页码: 411-414 作者:  Xue CL 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/04/05 Erbium silicate  Photoluminescence  Si photonics  WAVE-GUIDE AMPLIFIERS  CRYSTALLINE FILMS  ERBIUM SILICATE  ENERGY-TRANSFER  SI  ER3+  EXCITATION   A 1,000 Frames/s Programmable Vision Chip with Variable Resolution and Row-Pixel-Mixed Parallel Image Processors 期刊论文 sensors, 2009, 卷号: 9, 期号: 8, 页码: 5933-5951 Lin, QY (Lin, Qingyu); Miao, W (Miao, Wei); Zhang, WC (Zhang, Wancheng); Fu, QY (Fu, Qiuyu); Wu, NJ (Wu, Nanjian) 收藏  |  浏览/下载：152/23  |  提交时间：2010/03/08 vision chip   A programmable SIMD vision chip for real-time vision applications 期刊论文 ieee journal of solid-state circuits, 2008, 卷号: 43, 期号: 6, 页码: 1470-1479 Miao, W; Lin, QY; Zhang, WC; Wu, NJ 收藏  |  浏览/下载：39/1  |  提交时间：2010/03/08 image processing  machine vision  morphology target tracking  vision chip   Structure and magnetic properties of ScFe6Ga6-type RCo5Ga7 (R = Y, Tb, Dy, Ho and Er) 期刊论文 journal of solid state chemistry, 2004, 卷号: 177, 期号: 11, 页码: 4341-4345 Chang H; Guo YQ; Yang LT; Liua, QL; Feng WC; Liang JK; Rao GH 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/03/17 crystal structure   Space growth studies of Ce-doped Bi12SiO20 single crystal 期刊论文 materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2004, 卷号: 113, 期号: 3, 页码: 179-183 Zhou YF; Wang JC; Tang LA; Pan ZL; Chen NF; Chen WC; Huang YY; He W 收藏  |  浏览/下载：107/20  |  提交时间：2010/03/09 Bridgman technique   Growth of CeO2 : Bi12SiO20 crystals in multi-position furnace(II) - Space growth experiment 期刊论文 journal of inorganic materials, 2004, 卷号: 19, 期号: 2, 页码: 283-288 Zhou YF; Wang JC; Tang LA; Chen NF; Chen WC 收藏  |  浏览/下载：65/18  |  提交时间：2010/03/09 doped cerium bismuth silicon oxides (Ce : BSO)   Influences of reactor pressure of gan buffer layers on morphological evolution of gan grown by mocvd 期刊论文 Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 248-253 作者:  Chen, J;  Zhang, SM;  Zhang, BS;  Zhu, JJ;  Shen, XM 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 In situ laser reflectometry  Lateral overgrowths  Surface morphology  Metalorganic chemical vapor deposition  Gan   Influences of reactor pressure of GaN buffer layers on morphological evolution of GaN grown by MOCVD 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 248-253 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：293/3  |  提交时间：2010/08/12 in situ laser reflectometry  lateral overgrowths  surface morphology  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  LIGHT-EMITTING-DIODES  SAPPHIRE SUBSTRATE  NUCLEATION LAYERS  QUALITY  TEMPERATURE