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Electronic band structure of a type-ii 'w' quantum well calculated by an eight-band k center dot p model 期刊论文
Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: 6
作者:  Yu Xiu;  Gu Yong-Xian;  Wang Qing;  Wei Xin;  Chen Liang-Hui
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Optical properties of inassb nanostructures embedded in ingaassb strain reducing layer 期刊论文
Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2011, 卷号: 43, 期号: 4, 页码: 869-873
作者:  Li, Tianfeng;  Chen, Yonghai;  Lei, Wen;  Zhou, Xiaolong;  Wang, Zhanguo
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12
Electronic band structure of a type-II 'W' quantum well calculated by an eight-band k center dot p model 期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: article no.30507
Yu X; Gu YX; Wang Q; Wei X; Chen LH
收藏  |  浏览/下载：65/4  |  提交时间：2011/07/06
Optical properties of InAsSb nanostructures embedded in InGaAsSb strain reducing layer 期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2011, 卷号: 43, 期号: 4, 页码: 869-873
作者:  Zhou XL;  Li TF
收藏  |  浏览/下载：31/1  |  提交时间：2011/07/05
Mbe growth of very short period inas/gasb type-ii superlattices on (001) gaas substrates 期刊论文
Journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 21, 页码: 6690-6693
作者:  Hao, Ruiting;  Xu, Yingqiang;  Zhou, Zhiqiang;  Ren, Zhengwei;  Ni, Haiqiao
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Photoluminescence study of (gaas1-xsbx/inyga1-yas)/gaas bilayer quantum well grown by molecular beam epitaxy 期刊论文
Acta physica sinica, 2005, 卷号: 54, 期号: 6, 页码: 2950-2954
作者:  Xu, XH;  Niu, ZC;  Ni, HQ;  Xu, YQ;  Zhang, W
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Molecular beam epitaxy growth and photoluminescence study of room temperature 1.31 mu m (inyga1-yas/gaas1-x sb-x)/ gaas bilayer quantum wells 期刊论文
Journal of crystal growth, 2005, 卷号: 278, 期号: 1-4, 页码: 558-563
作者:  Niu, ZC;  Xu, XH;  Ni, HQ;  Xu, YQ;  He, ZH
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Photoluminescence study of (GaAs1-xSbx/InyGa1-yAs)/GaAs bilayer quantum well grown by molecular beam epitaxy 期刊论文
acta physica sinica, 2005, 卷号: 54, 期号: 6, 页码: 2950-2954
作者:  Xu YQ;  Niu ZC;  Zhang W;  Jiang DS;  Han Q
收藏  |  浏览/下载：66/31  |  提交时间：2010/03/17
Molecular beam epitaxy growth and photoluminescence study of room temperature 1.31 mu m (InyGa1-yAs/GaAs1-x Sb-x)/ GaAs bilayer quantum wells 期刊论文
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 278, 期号: 1-4, 页码: 558-563
作者:  Xu YQ
收藏  |  浏览/下载：109/23  |  提交时间：2010/03/17
Molecular beam epitaxy growth and photoluminescence of type-ii (gaas1-xsbx/inyga1-yas)/gaas bilayer quantum well 期刊论文
Chinese physics letters, 2004, 卷号: 21, 期号: 9, 页码: 1831-1834
作者:  Xu, XH;  Niu, ZC;  Ni, HQ;  Xu, YQ;  Zhang, W
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