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半导体研究所 [6]
内容类型
期刊论文 [5]
会议论文 [1]
发表日期
2009 [2]
2007 [1]
2006 [1]
2004 [1]
2003 [1]
学科主题
半导体材料 [5]
光电子学 [1]
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Growth behavior of AlInGaN films
会议论文
4th asian conference on crystal growth and crystal technology, sendai, japan, may 21-24, 2008
Shang JZ
;
Zhang BP
;
Mao MH
;
Cai LE
;
Zhang JY
;
Fang ZL
;
Liu BL
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Kusakabe K
;
Ohkawa K
收藏
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浏览/下载:31/0
  |  
提交时间:2010/03/09
Scanning electron microscope
Growth behavior of AlInGaN films
期刊论文
journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 3, 页码: 474-477
Shang JZ
;
Zhang BP
;
Mao MH
;
Cai LE
;
Zhang JY
;
Fang ZL
;
Liu BL
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Kusakabe K
;
Ohkawa K
收藏
  |  
浏览/下载:216/66
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提交时间:2010/03/08
Scanning electron microscope
Strain
X-ray diffraction
AlInGaN
Scanning electron microscopy observation of in-device InAs/AlAs quantum dots by selective etching of capping layers
期刊论文
modern physics letters b, 2007, 卷号: 21, 期号: 14, 页码: 859-866
Sun, J
;
Zhou, DY
;
Li, RY
;
Zhao, C
;
Ye, XL
;
Xu, B
;
Chen, YH
;
Wang, ZG
收藏
  |  
浏览/下载:64/5
  |  
提交时间:2010/03/08
III-V semiconductors
quantum dots
scanning electron microscopy
selective etching
Electrical properties of B-doped polycrystalline silicon thin films prepared by rapid thermal chemical vapour deposition
期刊论文
thin solid films, 2006, 卷号: 497, 期号: 1-2, 页码: 157-162
Ai B
;
Shen H
;
Liang ZC
;
Chen Z
;
Kong GL
;
Liao XB
收藏
  |  
浏览/下载:48/0
  |  
提交时间:2010/04/11
chemical vapour deposition
electrical properties and measurements
scanning electron microscopy
polycrystalline silicon
GRAIN-BOUNDARIES
STATES
Fabrication of GdSi2 film by low-energy ion-beam implantation
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 262, 期号: 1-4, 页码: 186-190
Li YL
;
Chen NF
;
Zhou JP
;
Song SL
;
Yang SY
;
Liu ZK
收藏
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浏览/下载:44/14
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提交时间:2010/03/09
scanning electron microscopy
Selective area growth of GaN on GaAs(001) substrates by metalorganic vapor-phase epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 252, 期号: 1-3, 页码: 9-13
Shen XM
;
Feng G
;
Zhang BS
;
Duan LH
;
Wang YT
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:38/0
  |  
提交时间:2010/08/12
scanning electron microscopy
X-ray diffraction
Metalorganic vapor phase epitaxy
selective area growth
gallium nitride
CUBIC GAN
OVERGROWN GAN
DEPOSITION
GAAS(100)
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