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科研机构
半导体研究所 [15]
内容类型
期刊论文 [13]
会议论文 [2]
发表日期
2011 [1]
2009 [3]
2006 [3]
2005 [2]
2003 [1]
1999 [2]
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专题:半导体研究所
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Characteristics of undoped and Sb-doped ZnO thin films prepared in different atmospheres by pulsed laser deposition
期刊论文
physica status solidi a-applications and materials science, 2011, 卷号: 208, 期号: 4, 页码: 843-850
Zhu BL
;
Zhu SJ
;
Zhao XZ
;
Su FH
;
Li GH
;
Wu XG
;
Wu J
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浏览/下载:96/5
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提交时间:2011/07/05
conductivity
doping
photoluminescence
pulsed laser deposition
ZnO
ZINC-OXIDE
ELECTRICAL-PROPERTIES
OPTICAL-PROPERTIES
OXYGEN-PRESSURE
PHOTOLUMINESCENCE
LUMINESCENCE
VIOLET
GROWTH
FABRICATION
DEPENDENCE
Deep levels in high resistivity gan detected by thermally stimulated luminescence and first-principles calculations
期刊论文
Journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 15, 页码: 4
作者:
Gai, Yanqin
;
Li, Jingbo
;
Hou, Qifeng
;
Wang, Xiaoliang
;
Xiao, Hongling
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/05/12
In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD
会议论文
international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007
Sun, GS
;
Zhao, YM
;
Wang, L
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Liu, XF
;
Ji, G
;
Zeng, YP
收藏
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/03/09
in-situ doping
boron
aluminum
memory effects
hot-wall LPCVD
4H-SiC
Deep levels in high resistivity GaN detected by thermally stimulated luminescence and first-principles calculations
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 15, 页码: art. no. 155403
作者:
Li JB
;
Hou QF
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浏览/下载:66/11
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提交时间:2010/03/08
N-TYPE GAN
ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS
VAPOR-PHASE EPITAXY
DEFECTS
THERMOLUMINESCENCE
CARBON
TRAP
Growth and characterization of semi-insulating gan films grown by mocvd
期刊论文
Journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 页码: 14-18
作者:
Fang, CB
;
Wang, XL
;
Hu, GX
;
Wang, JX
;
Wang, CM
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/05/12
Mocvd
Gan
Resistivity
Tsc
Growth and characterization of semi-insulating GaN films grown by MOCVD
期刊论文
journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 期号: sp.iss.si, 页码: 14-18
Fang CB
;
Wang XL
;
Hu GX
;
Wang JX
;
Wang CM
;
Li JM
收藏
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/04/11
MOCVD
GaN
resistivity
TSC
N-TYPE GAN
DOPED GAN
SPECTROSCOPY
CARBON
FE
Growth and characterization of semi-insulating GaN films grown by MOCVD
会议论文
3rd asian conference on crystal growth and crystal technology (cgct-3), beijing, peoples r china, oct 16-19, 2005
Fang, CB
;
Wang, XL
;
Hu, GX
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:203/36
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提交时间:2010/03/29
MOCVD
In-situ resistivity measurement of zns in diamond anvil cell under high pressure
期刊论文
Chinese physics letters, 2005, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 927-930
作者:
Han, YH
;
Luo, JF
;
Hao, AM
;
Gao, CX
;
Xie, HS
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/05/12
In-situ resistivity measurement of ZnS in diamond anvil cell under high pressure
期刊论文
chinese physics letters, 2005, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 927-930
Han, YH
;
Luo, JF
;
Hao, AM
;
Gao, CX
;
Xie, HS
;
Qu, SC
;
Liu, HW
;
Zou, GT
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/03/17
SUPERCONDUCTIVITY
Void formation and failure in InGaN/AlGaN double heterostructures
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 404-412
作者:
Han PD
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浏览/下载:207/2
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提交时间:2010/08/12
defects
metalorganic vapor phase epitaxy
nitrides
semiconducting III-V materials
light emitting diodes
LIGHT-EMITTING-DIODES
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
THREADING EDGE DISLOCATION
VAPOR-PHASE EPITAXY
N-TYPE GAN
GALLIUM NITRIDE
GROWTH STOICHIOMETRY
SCATTERING
DEFECTS
LUMINESCENCE
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