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半导体研究所 [17]
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期刊论文 [16]
会议论文 [1]
发表日期
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2006 [2]
2005 [2]
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专题:半导体研究所
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Defect properties of as-grown and electron-irradiated Te-doped GaSb studied by positron annihilation
期刊论文
semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75016
Li H
;
Zhou K
;
Pang JB
;
Shao YD
;
Wang Z
;
Zhao YW
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浏览/下载:52/10
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提交时间:2011/07/05
UNDOPED GALLIUM ANTIMONIDE
SELF-DIFFUSION
NATIVE DEFECTS
N-TYPE
CRYSTALS
CATHODOLUMINESCENCE
PHOTOLUMINESCENCE
SEMICONDUCTORS
SPECTROSCOPY
LUMINESCENCE
Mechanical Deformation Behavior of Nonpolar GaN Thick Films by Berkovich Nanoindentation
期刊论文
nanoscale research letters, 2009, 卷号: 4, 期号: 7, 页码: 753-757
作者:
Duan RF
;
Wei TB
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浏览/下载:96/0
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提交时间:2010/03/08
GaN
Nonpolar
HVPE
Nanoindentation
Cathodoluminescence
Raman mapping
Interface effect on emission properties of Er-doped Si nanoclusters embedded in SiO2 prepared by magnetron sputtering
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 9, 页码: art.no.094302
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/04/11
ROOM-TEMPERATURE
SILICON
SEMICONDUCTORS
DISLOCATIONS
SPECTRA
Electron irradiation-induced defects in InP pre-annealed at high temperature
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 380-383
Zhao YW (Zhao Y. W.)
;
Dong ZY (Dong Z. Y.)
;
Deng AH (Deng A. H.)
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/04/11
indium phosphide
defect
irradiation
THERMALLY STIMULATED CURRENT
UNDOPED SEMIINSULATING INP
DEEP-LEVEL DEFECTS
FRENKEL PAIRS
FE
SPECTROSCOPY
PHOSPHIDE
AMBIENT
TRAPS
Thermal quenching of luminescence from buried and surface ingaas self-assembled quantum dots with high sheet density
期刊论文
Journal of applied physics, 2005, 卷号: 98, 期号: 8, 页码: 4
作者:
Wei, ZF
;
Xu, SJ
;
Duan, RF
;
Li, Q
;
Wang, J
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/05/12
Thermal quenching of luminescence from buried and surface InGaAs self-assembled quantum dots with high sheet density
期刊论文
journal of applied physics, 2005, 卷号: 98, 期号: 8, 页码: art.no.084305
作者:
Duan RF
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浏览/下载:89/30
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提交时间:2010/03/17
LOCALIZED EXCITONS
Hydrogen related defects in neutron-irradiated silicon grown in hydrogen ambient
期刊论文
microelectronic engineering, 2003, 卷号: 66, 期号: 1-4, 页码: 333-339
Wang QY
;
Wang JH
;
Deng HF
;
Lin LY
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/08/12
neutron irradiation
annealing
defects in silicon
SPECTRA
Hydrogen related defects in neutron-irradiated silicon grown in hydrogen ambient
会议论文
iumrs/icem 2002 conference, xian, peoples r china, jun 10-14, 2002
Wang QY
;
Wang JH
;
Deng HF
;
Lin LY
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/11/15
neutron irradiation
annealing
defects in silicon
SPECTRA
Impact of polarization on quasi-two-dimensional exciton and barrier-width dependence of the exciton associated transition in wurtzite III-V nitride quantum wells
期刊论文
solid state communications, 2002, 卷号: 122, 期号: 5, 页码: 287-292
Wan SP
;
Xia JB
收藏
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/08/12
quantum wells
semiconductors
piezoelectricity
optical properties
OPTICAL-ABSORPTION
GAN
HETEROSTRUCTURES
SPECTROSCOPY
CONSTANTS
ENERGIES
LIFETIME
SPECTRA
FIELDS
INN
Effect of rapid thermal annealing and hydrogen plasma treatment on the microstructure and light-emission of silicon-rich oxide film
期刊论文
acta physica sinica, 2002, 卷号: 51, 期号: 7, 页码: 1564-1570
Wang YQ
;
Chen WD
;
Chen CY
;
Diao HW
;
Zhang SB
;
Xu YY
;
Kong GL
;
Liao XB
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/08/12
silicon-rich silicon oxide
microstructure
light-emission
rapid thermal annealing
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
AMORPHOUS-SILICON
POROUS SILICON
SI
LUMINESCENCE
NANOCRYSTALS
SPECTRA
SYSTEM
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