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Impurity band conduction in Mn-doped p type InAs single crystal 期刊论文
Materials Science in Semiconductor Processing, 2018, 卷号: 84, 页码: 115-118
作者:  Guiying Shen ;   Youwen Zhao ;   Yongbiao Bai ;   Ding Yu ;   Jingming Liu ;   Hui Xie ;   Zhiyuan Dong ;   Jun Yang ;   Fengyun Yang ;   Fenghua Wang
收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/11/15
Synthesis, properties, and top-gated metal–oxide–semiconductor field-effect transistors of p-type GaSb nanowires 期刊论文
RSC Advances, 2013, 期号: 43, 页码: 19834-19839
Guangwei Xu, Shaoyun Huang, Xiaoye Wang, Bin Yu, Hui Zhang, Tao Yang, H. Q. Xu and Lun Dai
收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2014/02/12
Effects of thin heavily Mg-doped GaN capping layer on ohmic contact formation of p-type GaN 期刊论文
semiconductor science and technology, 2013, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 105020
L L Wu, D G Zhao, D S Jiang, P Chen, L C Le, L Li, Z S Liu, S M Zhang, J J Zhu, H Wang, B S Zhang, H Yang
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2014/04/09
Positive and negative effects of oxygen in thermal annealing of p-type GaN 期刊论文
semiconductor science and technology, 2012, 卷号: 27, 期号: 8, 页码: 85017
Wu, LL; Zhao, DG; Jiang, DS; Chen, P; Le, LC; Li, L; Liu, ZS; Zhang, SM; Zhu, JJ; Wang, H; Zhang, BS; Yang, H
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/03/17
Positive and negative effects of oxygen in thermal annealing of p-type GaN 期刊论文
semiconductor science and technology, 2012, 卷号: 27, 期号: 8, 页码: 085017
Wu LL (Wu, L. L.); Zhao DG (Zhao, D. G.); Jiang DS (Jiang, D. S.); Chen P (Chen, P.); Le LC (Le, L. C.); Li L (Li, L.); Liu ZS (Liu, Z. S.); Zhang SM (Zhang, S. M.); Zhu JJ (Zhu, J. J.); Wang H (Wang, H.); Zhang BS (Zhang, B. S.); Yang H (Yang, H.)
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2013/04/02
Electrical and magnetic properties of ga1-xgdxn grown by metal organic chemical vapor deposition 期刊论文
Journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 8, 页码: 5
作者:  
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12
Native p-type transparent conductive CuI via intrinsic defects 期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 5, 页码: 54907
Wang J; Li JB; Li SS
收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2012/01/06
Positively charged manganese acceptor disclosed by photoluminescence spectra in an n-i-p-i-n heterostructure with a Mn-doped GaAs base 期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.93507
作者:  
收藏  |  浏览/下载：43/5  |  提交时间：2011/07/05
Origins of magnetism in transition metal doped cul 期刊论文
Journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: 5
作者:  
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12
Three-dimensional hole gas induced by polarization in (0001)-oriented metal-face iii-nitride structure 期刊论文
Applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 6, 页码: 3
作者:  Zhang, L.;  Ding, K.;  Yan, J. C.;  Wang, J. X.;  Zeng, Y. P.
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12

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