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半导体研究所 [14]
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期刊论文 [13]
会议论文 [1]
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Band-tail shape and transport near the metal-insulator transition in si-doped al0.3ga0.7as
期刊论文
Physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 12, 页码: 6
作者:
Misuraca, Jennifer
;
Trbovic, Jelena
;
Lu, Jun
;
Zhao, Jianhua
;
Ohno, Yuzo
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
Band-tail shape and transport near the metal-insulator transition in Si-doped
期刊论文
physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 12, 页码: art. no. 125202
Misuraca J (Misuraca Jennifer)
;
Trbovic J (Trbovic Jelena)
;
Lu J (Lu Jun)
;
Zhao JH (Zhao Jianhua)
;
Ohno Y (Ohno Yuzo)
;
Ohno H (Ohno Hideo)
;
Xiong P (Xiong Peng)
;
von Molnar S (von Molnar Stephan)
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2010/10/11
PERSISTENT PHOTOCONDUCTIVITY
DX CENTERS
ALXGA1-XAS
GAAS
SEMICONDUCTORS
Influence of nitrogen dose on the charge density of nitrogen-implanted buried oxide in SOI wafers
期刊论文
journal of semiconductors, 2010, 卷号: 31, 期号: 2, 页码: 99-102
Zheng Zhongshan
;
Liu Zhongli
;
Li Ning
;
Li Guohua
;
Zhang Enxia
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2011/08/16
Determination of MgO/AlN heterojunction band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy (vol 94, 052101, 2009)
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 12, 页码: art. no. 129901
作者:
Wei HY
;
Song HP
;
Jiao CM
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浏览/下载:379/108
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提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
core levels
III-V semiconductors
magnesium compounds
semiconductor heterojunctions
semiconductor-insulator boundaries
X-ray photoelectron spectra
Effect of Ka-band microwave on the spin dynamics of electrons in a GaAs/Al0.35Ga0.65As heterostructure
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 19, 页码: art. no. 192107
作者:
Qian X
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浏览/下载:81/7
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提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
carrier lifetime
gallium arsenide
high-frequency effects
III-V semiconductors
optical Kerr effect
semiconductor heterojunctions
spin dynamics
two-dimensional electron gas
Measurement of polar C-plane and nonpolar A-plane InN/ZnO heterojunctions band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 16, 页码: art. no. 163301
作者:
Jin P
;
Wei HY
;
Song HP
收藏
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浏览/下载:310/47
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提交时间:2010/03/08
conduction bands
III-V semiconductors
II-VI semiconductors
indium compounds
interface states
polarisation
semiconductor heterojunctions
valence bands
wide band gap semiconductors
X-ray photoelectron spectra
zinc compounds
Fabrication of improved FD SOIMOSFETs for suppressing edge effect
会议论文
9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008
Wang, N
;
Li, N
;
Liu, ZL
;
Yu, F
;
Li, GH
收藏
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2010/03/09
SOI
MOSFET
Valence band offset of InN/4H-SiC heterojunction measured by x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 24, 页码: art. no. 242107
Zhang BL
;
Sun GS
;
Guo Y
;
Zhang PF
;
Zhang RQ
;
Fan HB
;
Liu XL
;
Yang SY
;
Zhu QS
;
Wang ZG
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浏览/下载:231/42
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提交时间:2010/03/08
conduction bands
III-V semiconductors
indium compounds
interface states
semiconductor heterojunctions
silicon compounds
valence bands
wide band gap semiconductors
X-ray photoelectron spectra
Tunneling magnetoresistance in CoFeB/GaAs/(Ga,Mn)As hybrid magnetic tunnel junctions
期刊论文
journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 7, 页码: art. no. 07d105
Du, GX
;
Han, XF
;
Deng, JJ
;
Wang, WZ
;
Zhao, JH
收藏
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浏览/下载:66/0
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提交时间:2010/03/08
HETEROSTRUCTURES
SEMICONDUCTORS
(GA
MN)AS
Sensitivity of Total-Dose Radiation Hardness of SIMOX Buried Oxides to Doses of Nitrogen Implantation into Buried Oxides
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: 862-866
Zheng Zhongshan
;
Liu Zhongli
;
Zhang Guoqiang
;
Li Ning
;
Li Guohua
;
Ma Hongzhi
;
Zhang Enxia
;
Zhang Zhengxuan
;
Wang Xi
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/23
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