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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Investigation on the structural origin of n-type conductivity in InN films 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 13, 页码: art. no. 135403 Wang, H; Jiang, DS; Wang, LL; Sun, X; Liu, WB; Zhao, DG; Zhu, JJ; Liu, ZS; Wang, YT; Zhang, SM; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：53/1  |  提交时间：2010/03/08 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAN FILMS  DISLOCATION SCATTERING  LAYER THICKNESS  INDIUM NITRIDE  BAND-GAP  VACANCIES   Dependence of intrinsic defects in ZnO films on oxygen fraction studied by positron annihilation 期刊论文 chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 489-492 Peng CX; Weng HM; Yang XJ; Ye BJ; Cheng B; Zhou XY; Han RD 收藏  |  浏览/下载：235/9  |  提交时间：2010/04/11 P-TYPE ZNO  THIN-FILMS  ROOM-TEMPERATURE  PHOTOLUMINESCENCE  DEPOSITION  SUBSTRATE  VACANCIES  LAYER  BEAM  GAN   Shrinkage of nanocavities in silicon during electron beam irradiation 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 3, 页码: art.no.034304 Zhu XF (Zhu Xianfang) 收藏  |  浏览/下载：70/0  |  提交时间：2010/04/11 PREFERENTIAL AMORPHIZATION  ION IRRADIATION  AMORPHOUS SI  IN-SITU  VOIDS   Effect of lightly Si doping on the minority carrier diffusion length in n-type GaN films 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 25, 页码: art.no.252101 Zhao DG (Zhao D. G.); Jiang DS (Jiang D. S.); Yang H (Yang Hui); Zhu JJ (Zhu J. J.); Liu ZS (Liu Z. S.); Zhang SM (Zhang S. M.); Liang JW (Liang J. W.); Hao XP (Hao X. P.); Wei L (Wei L.); Li X (Li X.); Li XY (Li X. Y.); Gong HM (Gong H. M.) 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/04/11 YELLOW LUMINESCENCE  ELECTRON-BEAM  VACANCIES   Residual donors and compensation in metalorganic chemical vapor deposition as-grown n-GaN 期刊论文 journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 12, 页码: 6130-6134 Xu XL; Liu HT; Shi CS; Zhao YW; Fung S; Beling CD 收藏  |  浏览/下载：126/15  |  提交时间：2010/08/12 LIGHT-EMITTING DIODES  GALLIUM NITRIDE  YELLOW LUMINESCENCE  ELECTRON  PHOTOLUMINESCENCE  EPILAYERS  VACANCIES  INTERFACE  MECHANISM  ENERGY   Competition between band gap and yellow luminescence in undoped GaN grown by MOVPE on sapphire substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 222, 期号: 1-2, 页码: 96-103 Xu HZ; Bell A; Wang ZG; Okada Y; Kawabe M; Harrison I; Foxon CT 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/08/12 gallium nitride  metalorganic vapor-phase epitaxy  photoluminescence  yellow luminescence  N-TYPE GAN  PERSISTENT PHOTOCONDUCTIVITY  THIN-FILMS  DOPED GAN  DEEP LEVELS  ORIGIN  PHOTOLUMINESCENCE  DEPENDENCE  VACANCIES  EPITAXY