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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Dielectric relaxation and giant dielectric constant of nb-doped cacu(3)ti(4)o(12) ceramics under dc bias voltage 期刊论文 Physica status solidi a-applications and materials science, 2009, 卷号: 206, 期号: 3, 页码: 562-566 作者:  Liu, Peng;  He, Ying;  Zhou, Jian-ping;  Mu, Chun-hong;  Zhang, Huai-wu 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12 Dielectric relaxation and giant dielectric constant of Nb-doped CaCu3Ti4O12 ceramics under dc bias voltage 期刊论文 physica status solidi a-applications and materials science, 2009, 卷号: 206, 期号: 3, 页码: 562-566 Liu P; He Y; Zhou JP; Mu CH; Zhang HW 收藏  |  浏览/下载：156/21  |  提交时间：2010/03/08 COPPER-TITANATE  GRAIN-BOUNDARY  BEHAVIOR