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半导体研究所 [15]
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期刊论文 [15]
发表日期
2010 [2]
2009 [7]
2008 [2]
2005 [1]
2004 [2]
1997 [1]
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专题:半导体研究所
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The effect of an electric field on the nonlinear response of InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of optics, 2010, 卷号: 12, 期号: 5, 页码: art. no. 055203
Huang X (Huang X.)
;
Zhang XH (Zhang X. H.)
;
Zhu YG (Zhu Y. G.)
;
Li T (Li T.)
;
Han LF (Han L. F.)
;
Shang XJ (Shang X. J.)
;
Ni HQ (Ni H. Q.)
;
Niu ZC (Niu Z. C.)
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浏览/下载:79/6
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提交时间:2010/08/17
InAs quantum dots
nonlinear refraction
reflection Z-scan
dc electric field effect
ELECTROOPTIC PROPERTIES
SATURABLE ABSORBER
OPTICAL-PROPERTIES
WELL STRUCTURES
SINGLE-BEAM
BAND-GAP
ELECTROABSORPTION
ABSORPTION
REFLECTION
DEPENDENCE
Direct observation of excitonic polaron in InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
epl, 2010, 卷号: 90, 期号: 3, 页码: art. no. 37004
Gong M (Gong Ming)
;
Chen G (Chen Geng)
;
He LX (He Lixin)
;
Li CF (Li Chuan-Feng)
;
Tang JS (Tang Jian-Shun)
;
Sun FW (Sun Fang-Wen)
;
Niu ZC (Niu Zhi-Chuan)
;
Huang SS (Huang She-Song)
;
Xiong YH (Xiong Yong-Hua)
;
Ni HQ (Ni Hai-Qiao)
;
Guo GC (Guo Guang-Can)
收藏
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浏览/下载:131/3
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提交时间:2010/07/18
PHONON COUPLING REGIME
Thickness dependent dislocation, electrical and optical properties in InN films grown by MOCVD
期刊论文
acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420
作者:
Li Y
;
Chen P
;
Jiang DS
;
Wang H
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:49/4
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提交时间:2010/03/08
InN
dislocation
carrier origination
localization
Dislocation core effect scattering in a quasitriangle potential well
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 11, 页码: art. no. 112102
作者:
Wei HY
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浏览/下载:236/104
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提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
carrier density
carrier mobility
dislocation density
dislocation scattering
gallium compounds
III-V semiconductors
semiconductor heterojunctions
wide band gap semiconductors
Size dependence of biexciton binding energy in single InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 2258-2263
Don XM
;
Sun BQ
;
Huang SS
;
Ni HQ
;
Niu ZC
;
Yang FH
;
Jia R
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/03/08
biexcition binding energy
single quantum dots
exciton molecular model
Heitler-London method
Investigation of Electronic Energy Levels in InAs Quantum Dot with Shape of Lens by Using B-Spline Technique
期刊论文
journal of computational and theoretical nanoscience, 2009, 卷号: 6, 期号: 2, 页码: 354-358
Liu W
;
Meng XQ
;
Qiao HX
;
Xie RH
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浏览/下载:229/33
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提交时间:2010/03/08
Quantum Dot
Effective Mass Theory
B-Spline
Kinetically controlled InN nucleation on GaN templates by metalorganic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 14, 页码: art. no. 145410
作者:
Zhang SM
;
Yang H
;
Yang H
;
Wang YT
;
Zhu JJ
收藏
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浏览/下载:73/0
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提交时间:2010/03/08
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PHASE EPITAXY
QUANTUM DOTS
BAND-GAP
GROWTH
SURFACES
Measurement of polar C-plane and nonpolar A-plane InN/ZnO heterojunctions band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 16, 页码: art. no. 163301
作者:
Jin P
;
Wei HY
;
Song HP
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浏览/下载:310/47
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提交时间:2010/03/08
conduction bands
III-V semiconductors
II-VI semiconductors
indium compounds
interface states
polarisation
semiconductor heterojunctions
valence bands
wide band gap semiconductors
X-ray photoelectron spectra
zinc compounds
Well-width dependence of in-plane optical anisotropy in (001) GaAs/AlGaAs quantum wells induced by in-plane uniaxial strain and interface asymmetry
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 10, 页码: art. no. 103108
作者:
Xu B
;
Ye XL
收藏
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浏览/下载:69/0
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提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
gallium arsenide
III-V semiconductors
internal stresses
reflectivity
semiconductor heterojunctions
semiconductor quantum wells
Temperature dependence of photoluminescence from single and ensemble InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 3440-3443
Dou, XM
;
Sun, BQ
;
Xiong, YH
;
Huang, SS
;
Ni, HQ
;
Niu, ZC
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浏览/下载:69/1
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提交时间:2010/03/08
CARRIER RELAXATION
ENERGY RELAXATION
LINE-SHAPE
EMISSION
DENSITY
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