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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Localized exciton dynamics in alingan alloy 期刊论文 Solid state communications, 2003, 卷号: 126, 期号: 8, 页码: 473-477 作者:  Huang, JS;  Dong, X;  Luo, XD;  Liu, XL;  Xu, ZY 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Alingan  Quantum dots  Hopping  Stretched-exponential decay   Localized exciton dynamics in AlInGaN alloy 期刊论文 solid state communications, 2003, 卷号: 126, 期号: 8, 页码: 473-477 Huang JS; Dong X; Luo XD; Liu XL; Xu ZY; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 AlInGaN  quantum dots  hopping  stretched-exponential decay  MULTIPLE-QUANTUM WELLS  LIGHT-EMITTING-DIODES  TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  THERMAL-ACTIVATION  LUMINESCENCE  TRANSITIONS  RELAXATION  SILICON  LAYERS   Optical properties of AIInGaN quaternary alloys 会议论文 conference on optoelectronic and microelectronic materials and devices (commad), sydney, australia, dec 11-13, 2002 Huang JS; Dong X; Luo XD; Liu XL; Xu ZY; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/10/29 LIGHT-EMITTING-DIODES  LOCALIZED EXCITONS  LUMINESCENCE  RELAXATION  SILICON  BAND   Wafer bonding technique used for the integration of cubic GaN/GaAs (001) with Si substrate 期刊论文 science in china series e-technological sciences, 2002, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: 255-260 作者:  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：84/5  |  提交时间：2010/08/12 wafer bonding  cubic  GaN/GaAs(001)  Si-substrate  LIGHT-EMITTING-DIODES  P-TYPE GAN  RESISTANCE  CONTACT  LASER   Optical study of heterointerface configuration in narrow GaAs/AlGaAs single quantum wells prepared with growth interruption 期刊论文 journal of applied physics, 1996, 卷号: 79, 期号: 2, 页码: 1073-1077 Yuan ZL; Xu ZY; Zheng BZ; Luo CP; Xu JZ; Ge WK; Zhang PH; Yang XP 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  MONOLAYER-FLAT ISLANDS  SEMICONDUCTOR INTERFACES  EXCITON TRANSFER  TEMPERATURE  LINEWIDTH  DYNAMICS