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SiC 衬底上 AlGaNGaN 微波 HEMT 制备及性能研究 学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  陈昌禧
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2021/06/22
4H-SiC功率MOSFET研制 学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  倪炜江
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/09/22
Effect of C/Si ratio on growth of 4H-SiC epitaxial layers on on-axis and 4° off-axis substrates 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2020, 卷号: 531, 页码: 125362
作者:  G.G. Yan;   Y.W. He;   Z.W. Shen;   Y.X. Cui;   J.T. Li;   W.S. Zhao;   L. Wang;   X.F. Liu;   F. Zhang;   G.S. Sun;   Y.P. Zeng
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2021/11/26
4H-SiC场效应晶体管的仿真设计与沟槽型MOSFET的研制 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
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收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2017/06/02
A Facile Method for Heteroepitaxial Growth of Homogeneous 3C-SiC Thin Films on Both Surfaces of Suspended SiWafer by Conventional Chemical Vapor Deposition 期刊论文
ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2017, 卷号: 6, 期号: 1, 页码: 27-31
作者:  X. F. Liu;  z G. G. Yan;  Z. W. Shen;  Z. X.Wen;  L. X. Tian
收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2018/06/15
4H -SiC 基 SiO 2和 Al 2O3栅介质层的研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2016
田丽欣
收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2016/12/05
4H-SiC肖特基二极管的设计与研制及4H-SiC/SiO2界面研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
郑柳
收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2014/06/05
Growth of f4H-SiC epilayers with low surface roughness and morphological defects density on 4° off-axis substrates 期刊论文
applied surface science, 2013, 卷号: 270, 页码: 301-306
Dong, Lin; Sun, Guosheng; Yu, Jun; Zheng, Liu; Liu, Xingfang; Zhang, Feng; Yan, Guoguo; Li, Xiguang; Wang, Zhanguo
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2014/03/17
Infrared reflectance study of 3C-SiC epilayers grown on silicon substrates 期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2012, 卷号: 45, 期号: 24, 页码: 245102
Dong, L; Sun, GS; Zheng, L; Liu, XF; Zhang, F; Yan, GG; Zhao, WS; Wang, L; Li, XG; Wang, ZG
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/03/17
宽禁带半导体碳化硅(SiC)生长工艺及多片大面积外延技术的研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:  闫果果
收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2011/06/01

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