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半导体研究所 [16]
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Role of bi3+ ions for er3+ ions efficient 1.54 mu m light emission in er/bi codoped sio2 thin film prepared by sol-gel method
期刊论文
Journal of luminescence, 2010, 卷号: 130, 期号: 10, 页码: 1760-1763
作者:
Zheng, J.
;
Zuo, Y. H.
;
Zhang, L. Z.
;
Wang, W.
;
Xue, C. L.
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Photoluminescence
Energy transfer
Erbium
Bismuth
Role of Bi3+ ions for Er3+ ions efficient 1.54 mu m light emission in Er/Bi codoped SiO2 thin film prepared by sol-gel method
期刊论文
journal of luminescence, 2010, 卷号: 130, 期号: 10, 页码: 1760-1763
Zheng J (Zheng J.)
;
Zuo YH (Zuo Y. H.)
;
Zhang LZ (Zhang L. Z.)
;
Wang W (Wang W.)
;
Xue CL (Xue C. L.)
;
Cheng BW (Cheng B. W.)
;
Yu JZ (Yu J. Z.)
;
Guo HQ (Guo H. Q.)
;
Wang QM (Wang Q. M.)
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浏览/下载:105/4
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提交时间:2010/09/07
Photoluminescence
Energy transfer
Erbium
Bismuth
Strong visible and infrared photoluminescence from er-implanted silicon nitride films
期刊论文
Journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 13, 页码: 4
作者:
Ding, W. C.
;
Hu, D.
;
Zheng, J.
;
Chen, P.
;
Cheng, B. W.
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Strong visible and infrared photoluminescence from Er-implanted silicon nitride films
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 13, 页码: art. no. 135101
作者:
Chen P
收藏
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浏览/下载:47/3
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提交时间:2010/03/08
1.54 MU-M
Photoluminescence from Er-doped Si-in-SiNx thin films
期刊论文
optical materials, 2007, 卷号: 29, 期号: 8, 页码: 1071-1074
Bian LF
;
Zhang CG
;
Chen WD
;
Hsu CC
;
Ma LB
;
Song R
;
Cao ZX
收藏
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2010/03/29
photoluminescence
Deep level and photoluminescence studies of Er-implanted GaN films
期刊论文
journal of luminescence, 2007, 卷号: 122 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 365-367
Song SF
;
Chen WD
;
Hsu CC
;
Xu XR
收藏
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/03/29
GaN
Influence of growth parameters of frequency-radio plasma nitrogen source on extending emission wavelengths from 1.31 mu m to 1.55 mu m gainnas/gaas quantum wells grown by molecular-beam epitaxy
期刊论文
Chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 1005-1008
作者:
Wu, DH
;
Niu, ZC
;
Zhang, SY
;
Ni, HQ
;
He, ZH
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
Interface effect on emission properties of Er-doped Si nanoclusters embedded in SiO2 prepared by magnetron sputtering
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 9, 页码: art.no.094302
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/04/11
ROOM-TEMPERATURE
SILICON
SEMICONDUCTORS
DISLOCATIONS
SPECTRA
Influence of growth parameters of frequency-radio plasma nitrogen source on extending emission wavelengths from 1.31 mu m to 1.55 mu m GaInNAs/GaAs quantum wells grown by molecular-beam epitaxy
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 1005-1008
作者:
Yang XH
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2010/04/11
LASERS
TEMPERATURE
PHOTOLUMINESCENCE
Local environment of Er3+ in Er-doped Si nanoclusters embedded in SiO2 films
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 23, 页码: art.no.231927
Bian LF
;
Zhang CG
;
Chen WD
;
Hsu CC
;
Shi TF
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2010/03/29
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