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半导体研究所 [14]
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专题:半导体研究所
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MOCVD生长温度对氧化锌薄膜结构及发光性能的影响
期刊论文
人工晶体学报, 2010, 卷号: 39, 期号: 1, 页码: 34-38,43
作者:
杨少延
;
魏鸿源
;
焦春美
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2011/08/16
多孔硅的孔隙对硫化锌/多孑L硅光电性质的影响
期刊论文
激光技术, 2010, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 766-769
作者:
梁德春
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2011/08/16
InAs/GaSb Ⅱ型超晶格的拉曼和光致发光光谱
期刊论文
红外与激光工程, 2009, 卷号: 38, 期号: 2, 页码: 278-281
作者:
牛智川
;
徐应强
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/23
InAs 单量子点精细结构光谱
期刊论文
发光学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 6, 页码: 812-817
李文生
;
孙宝权
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/23
InAs/GaAs量子点光致发光光谱多峰结构发光本质
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 11, 页码: 2121-2124
作者:
金鹏
;
吕雪芹
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/23
用于电调制光致发光光谱测量的样品架
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
丛光伟
;
彭文琴
;
吴洁君
;
魏宏源
;
刘祥林
;
王占国
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2009/06/11
能级填充对量子阱光学性质的影响
期刊论文
物理学报, 2004, 卷号: 53, 期号: 12, 页码: 4334-4340
作者:
谭平恒
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/23
InP(001)基衬底上自组织生长InAs量子点(线)的光学性质研究
期刊论文
材料研究学报, 2003, 卷号: 17, 期号: 6, 页码: 566-570
武光明
;
朱江
;
李月法
;
贾锐
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/23
铟镓氮薄膜的光电特性
期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 143-148
作者:
韩培德
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/23
MOCVD方法制备的立方GaN/GaAs(001)中六角相含量退火行为的研究
期刊论文
中国科学. A辑,数学, 1999, 卷号: 29, 期号: 5, 页码: 444
作者:
王玉田
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提交时间:2010/11/23
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