铟镓氮薄膜的光电特性

	铟镓氮薄膜的光电特性
	韩培德
刊名	半导体学报
	2002
卷号	23 期号:2 页码:143-148
中文摘要	用金属有机物气相外延设备，在氮化镓/蓝宝石复合衬底上快速外延生长铟镓氮薄膜，并对其进行了X射线三晶衍射、光致发光、反射光谱及霍尔测量等实验测试。确定该薄膜为单晶，其中In组分可以从0增加到0.26；在光致激发下发光光谱为单峰，且峰值波长在360～555nm范围内可调；其发光机理被证实为膜内载流子经带隙跃迁而直接复合；并具有很高的电子浓度。但InGaN薄膜的结晶质量却随着In含量的增加而变差。
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金（No.6 86 1),国家重点基础研究专项经费（No.G2 683）资助项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18121]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	韩培德. 铟镓氮薄膜的光电特性[J]. 半导体学报,2002,23(2):143-148.
APA	韩培德.(2002).铟镓氮薄膜的光电特性.半导体学报,23(2),143-148.
MLA	韩培德."铟镓氮薄膜的光电特性".半导体学报 23.2(2002):143-148.