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钯缓冲层制备GaN纳米线及光学特性分析 期刊论文
2010, 卷号: 47, 期号: 1, 页码: 14-17
作者:  薛成山[1];  郭永福[1];  石锋[1];  庄惠照[1];  刘文军[1]
收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/12/31
氨化Si基Ga2O3/V膜制备GaN纳米线(英文) 期刊论文
2009, 卷号: 38, 期号: 3, 页码: 377-379
作者:  杨兆柱;  薛成山;  庄慧照;  王公堂;  陈金华
收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2020/01/07
氧化物缓冲层制备Si(111)基GaN纳米线 期刊论文
2009, 卷号: 46, 期号: 10, 页码: 595-598
作者:  曹玉萍[1];  石锋[1];  孙海波[1];  薛成山[1]
收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2019/12/31
Mg掺杂GaN纳米线的结构及其特性 期刊论文
2009, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 113-115
作者:  薛成山[1];  张冬冬[1];  庄惠照[1];  黄英龙[1];  王邹平[1]
收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2019/12/28
氨化法制备大量单晶GaN纳米线及其特性研究 期刊论文
2008, 期号: 2, 页码: 15-18
作者:  薛成山[1];  秦丽霞[1];  庄惠照[1];  陈金华[1];  杨兆柱[1]
收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2020/01/04
氨化Ga2O3/Mg薄膜制备簇状GaN纳米线 期刊论文
2008, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: 190-192
作者:  孙莉莉[1];  薛成山[1];  艾玉杰[1];  庄惠照[1];  王福学[1]
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氨化Si基Ga2O3/Ta薄膜制备GaN纳米线 期刊论文
2007, 期号: 5, 页码: 31-33
作者:  李红[1];  薛成山[1];  庄惠照[1];  张晓凯[1];  陈金华[1]
收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2020/01/04
Formation of GaN Nanowires by Ammoniating Ga2O3 Films Deposited on Oxidized Al Layers on Si Substrate 期刊论文
2007, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 48-52
作者:  HU Li-jun ZHUANG Hui-zhao XUE Cheng-shan XUE Shou-bin[1]
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氨化Si基Ga2O3/BN薄膜制备GaN纳米线及其发光特性 期刊论文
2006, 卷号: 51, 期号: 13, 页码: 1500-1503
作者:  薛成山[1];  吴玉新[1];  庄惠照[1];  田德恒[1];  刘亦安[1]
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一维GaN纳米材料生长方法 期刊论文
2004, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 35-37
作者:  李忠[1];  杨利[1];  薛成山[1]
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