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科研机构
高能物理研究所 [9]
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期刊论文 [9]
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Multiple Angle Analysis of 30-MeV Silicon Ion Beam Radiation Effects on InGaN/GaN Multiple Quantum Wells Blue Light-Emitting Diodes
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 11, 页码: 2784-2792
作者:
Liu, Ningyang
;
Wang, Lei
;
Song LG(宋力刚)
;
Cao XZ(曹兴忠)
;
Wang BY(王宝义)
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2019/10/11
Atom displacement
carrier removal effect
carrier ultrafast dynamics
GaN
indium localization
light-emitting diodes (LEDs)
nonradiative recombination centers (NRCs)
positron annihilation spectroscopy (PAS)
silicon ion irradiation
strain relaxation
MgZnO/MgO strained multiple-quantum-well nanocolumnar films: Stress-induced structural transition and deep ultraviolet emission
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2012, 卷号: 513, 页码: 399-403
作者:
Wang, L
;
Xu, HY
;
Zhang, C
;
Li, XH
;
Liu, YC
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2016/04/08
MgZnO/MgO
Multiple-quantum-well
Nanocolumn
Structural transition
Deep ultraviolet
Effect of In incorporation parameters on the electroluminescence of blue-violet InGaN/GaN multiple quantum wells grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2012, 卷号: 540, 页码: 46-48
作者:
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Le, LC
;
Wu, LL
;
Li, L
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2016/04/08
Nitride materials
Crystal growth
X-ray diffraction
An experimental study about the influence of well thickness on the electroluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2010, 卷号: 489, 期号: 2, 页码: 461-464
作者:
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Zhu, JJ
;
Wang, H
;
Liu, ZS
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2016/06/28
Nitride materials
Crystal growth
X-ray diffraction
Research on AlInGaN Quaternary Alloys as MQW Barriers in GaN-Based Laser Diodes
期刊论文
SPECTROSCOPY AND SPECTRAL ANALYSIS, 2009, 卷号: 29, 期号: 6, 页码: 1441-1444
作者:
Chen, WH
;
Liao, H
;
Hu, XD
;
Li, R
;
Jia, QJ
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2016/06/29
GaN-based LD
Multi-quantum-well (MQW)
AlInGaN
Barrier material
GaN基激光器多量子阱垒材料的研究
期刊论文
光谱学与光谱分析, 2009, 期号: 6, 页码: 1441-1444
作者:
陈伟华
;
廖辉
;
胡晓东
;
李睿
;
贾全杰
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2015/12/25
GaN基激光器
多量子阱(MQWs)
AlInGaN
垒材料
Effect of an indium-doped barrier on enhanced near-ultraviolet emission from InGaN/AlGaN: In multiple quantum wells grown on Si(111)
期刊论文
NANOTECHNOLOGY, 2007, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 15402
作者:
Wu, JJ
;
Zhang, GY
;
Liu, XL
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2016/06/29
Influence of cracks generation on the structural and optical properties of GaN/Al0.55Ga0.45N multiple quantum wells
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2006, 卷号: 252, 期号: 8, 页码: 3043-3050
作者:
Sun, Q
;
Zhang, JC
;
Huang, Y
;
Chen, J
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2016/06/29
nitrides
multiple quantum wells
cracks
dislocations
vacancies x-ray diffraction
Influence of dislocations on photoluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 87, 期号: 7, 页码: 71908
作者:
Zhang, JC
;
Jiang, DS
;
Sun, Q
;
Wang, JF
;
Wang, YT
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2016/06/29
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