×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
上海微系统与信息... [237]
内容类型
期刊论文 [218]
学位论文 [18]
成果 [1]
发表日期
2011 [6]
2009 [7]
2008 [13]
2007 [16]
2006 [13]
2005 [18]
更多...
学科主题
Physics, ... [28]
Instrumen... [27]
Physics, ... [14]
Instrumen... [11]
Materials... [10]
Multidisc... [10]
更多...
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共237条,第1-10条
帮助
限定条件
专题:上海微系统与信息技术研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Influence of Si nanocrystal embedded in BOX on radiation and electrical properties of SOI wafer
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2012, 卷号: 272, 页码: 257-260
Bi, DW
;
Zhang, ZX
;
Chen, M
;
Wu, AM
;
Wei, X
;
Wang, X
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2013/04/17
SOI
Ion implantation
Si nanocrystal
Pseudo-MOS
Transportation of carriers in silicon implanted SiO2 films during ionizing radiation
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2012, 卷号: 272, 页码: 266-270
Chen, M
;
Zhang, ZX
;
Wei, X
;
Bi, DW
;
Zou, SC
;
Wang, X
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2013/04/17
Silicon dioxide
Ion implantation
Total ionizing dose
Carrier transportation
Extra source implantation for suppression floating-body effect in partially depleted SOI MOSFETs
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2012, 卷号: 272, 页码: 128-131
Chen, J
;
Luo, JX
;
Wu, QQ
;
Chai, Z
;
Huang, XL
;
Wei, X
;
Wang, X
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2013/04/17
Partially depleted SOI
Floating-body effect
The kink effect
Esaki tunnel
Junction
Body contact
TDBC SOI technology to suppress floating body effect in PD SOI p-MOSFETs
期刊论文
ELECTRONICS LETTERS, 2012, 卷号: 48, 期号: 11, 页码: 652-653
Luo, JX
;
Chen, J
;
Wu, QQ
;
Chai, Z
;
Yu, T
;
Wang, X
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2013/04/17
Extra source implantation for suppression floating-body effect in partially depleted SOI MOSFETs
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2012, 卷号: 272, 页码: 128-131
Chen, J
;
Luo, JX
;
Wu, QQ
;
Chai, Z
;
Huang, XL
;
Wei, X
;
Wang, X(重点实验室)
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2013/05/10
Instruments & Instrumentation
Physics
Physics
Nuclear Science & Technology
Atomic
Nuclear
Molecular & Chemical
Si基SOI结构微剂量探测器的设计及SOI材料的离子注入抗辐射改性研究
学位论文
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2011
王茹
收藏
  |  
浏览/下载:31/0
  |  
提交时间:2013/04/24
SOI
微剂量实验方法
微剂量仪
离子注入改性
灵敏体积
Improved NiSi
0.8
Ge
0.2
/Si
0.8
Ge
0.2
contacts by
C
pre-implantation
期刊论文
Electrochemical and Solid-State Letters, 2011, 卷号: 14, 期号: 7, 页码: H261-H263
Zhang, B
;
Yu, W
;
Zhao, QT
;
Buca, D
;
Hollnder, B
;
Hartmann, J.M.
;
Zhang, M
;
Wang, X
;
Mantl, S
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2012/08/28
Investigation of silicon on insulator fabricated by two-step O+ implantation
期刊论文
CHINESE SCIENCE BULLETIN, 2011, 卷号: 56, 期号: 4-5, 页码: 444-448
Wei,X
;
Xue,ZY
;
Wu,AM
;
Wang,X
;
Li,XY
;
Ye,F
;
Chen,J
;
Chen,M
;
Zhang,B
;
Lin,CL
;
Zhang,MA
;
Wang,X
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2012/04/10
SCIENCE CHINA PRESS
Thermal stability and interface improvement of thin NiSiGe by C
+
ion implantation
期刊论文
2011 IEEE International Interconnect Technology Conference and 2011 Materials for Advanced Metallization, IITC/MAM 2011.2011 IEEE International Interconnect Technology Conference and 2011 Materials for Advanced Metallization, IITC/MAM 2011, 2011, 期号: 0
Zhang, B
;
Yu, W
;
Zhao, QT
;
Buca, D
;
Hollä
;
nder, B
;
Hartmann, J.-M.
;
Zhang, M
;
Wang, X
;
Mantl, S.
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2012/08/28
Improved NiSi0.8Ge0.2/Si0.8Ge0.2 Contacts by C+ Pre-Implantation
期刊论文
ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, 2011, 卷号: 14, 期号: 7, 页码: H261-H263
Zhang,B
;
Yu,W
;
Zhao,QT
;
Buca,D
;
Hollander,B
;
Hartmann,JM
;
Zhang,M
;
Wang,X
;
Mantl,S
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2012/04/10
ELECTROCHEMICAL SOC INC
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace