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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Strain relaxation mechanism in SiGe-on-insulator fabricated by Ge condensation 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2005, 卷号: 281, 期号: 2-4, 页码: 275-280 Di, ZF; Huang, AP; Chu, PK; Zhang, M; Liu, WL; Song, ZT; Luo, SH; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/24 MOBILITY ENHANCEMENT  RAMAN-SCATTERING  HIGH-PERFORMANCE  COMPLIANT OXIDE  N-MOSFETS  OXIDATION  SUBSTRATE  STABILITY  ELECTRON  ISLANDS   Structure and electric property comparison between Ge nanoclusters embedded in Al2O3 and Al2O3/ZrO2 期刊论文 METALS AND MATERIALS INTERNATIONAL, 2004, 卷号: 10, 期号: 2, 页码: 161-165 Liu, WL; Wan, Q; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/24 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SI NANOCRYSTALS  SILICON-NITRIDE  LAYERS  FILMS  PHOTOLUMINESCENCE  DIELECTRICS  STABILITY  OXIDATION  EMISSION