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| 平面型相变存储器的制备及性能研究 学位论文 博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2012 杜小锋
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| 一种Sb-Te-Ti相变存储材料 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102268738A, 申请日期: 2011-12-07, 公开日期: 2011-12-07 吴良才; 朱敏; 宋志棠; 饶峰; 宋三年; 彭程; 刘波; 封松林
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| 一种纳秒级可逆相变材料及其相变机理的测定方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102255044A, 申请日期: 2011-11-23, 公开日期: 2011-11-23 宋志棠; 饶峰; 吴良才
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| 用于相变存储器的富锑Si-Sb-Te硫族化合物相变材料 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101924180A, 申请日期: 2010-12-22, 公开日期: 2010-12-22 周夕淋; 吴良才; 宋志棠; 饶峰
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| 基于Sn掺杂Ge_2Sb_2Te_5的相变存储器器件单元存储性能 期刊论文 功能材料与器件学报, 2008, 期号: 03 徐成; 刘波; 冯高明; 吴良才; 宋志棠; 封松林; Bomy Chen
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| 离子束增强沉积技术在薄膜制备中的应用研究 会议论文 中国化工学会2008年化工机械年会, 2008 门传玲; 林成鲁
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| 用复合氢化物改善纯镁储氢性能的研究 学位论文 硕士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2007 毛建锋
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| 新型存储器器件单元制备及性能研究 学位论文 博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2007 吴良才
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| 相变材料研究 学位论文 硕士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2007 徐嘉庆
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| 离子束增强沉积法制备二氧化铪薄膜 期刊论文 半导体技术, 2006, 期号: 03 陶凯; 俞跃辉; 郑智宏; 邹世昌
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2012/01/06
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