| 一种Sb-Te-Ti相变存储材料 | |
| 吴良才 ; 朱敏 ; 宋志棠 ; 饶峰 ; 宋三年 ; 彭程 ; 刘波 ; 封松林 | |
| 2011-12-07 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN102268738A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及相变材料及其制备方法，尤其是可用于相变存储器的Sb-Te-Ti相变薄膜材料。本发明的Sb-Te-Ti新型相变存储材料，是在Sb-Te相变材料的基础上掺入Ti而成，掺入的Ti与Sb、Te均成键，其化学通式为SbxTeyTi100-x-y，其中0＜x＜80，0＜y＜100-x。现有的Sb-Te相变材料结晶过程以晶粒生长占主导，因此相变速率快，然而保持力不能满足工业要求。本发明的Sb-Te-Ti新型相变存储材料的结晶温度得到大幅度地升高，保持力提升，热稳定性增强；同时，非晶态电阻降低，晶态电阻升高；可 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2011-12-07 |
| 申请日期 | 2011-07-13 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201110196219.X |
| 专利代理 | 许亦琳 ; 余明伟 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48621]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴良才,朱敏,宋志棠,等. 一种Sb-Te-Ti相变存储材料. CN102268738A. 2011-12-07. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论