CORC

浏览/检索结果: 共5条,第1-5条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
一种利用稀磁半导体测量多量子阱耦合的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: N101383305, 申请日期: 2009-03-11, 公开日期: 2009
郭旭光; 曹俊诚
收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2012/01/06
InP基中红外分布反馈量子级联激光器研究 学位论文
博士, 上海微系统与信息技术研究所: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 2009
李耀耀
收藏  |  浏览/下载:108/0  |  提交时间:2012/03/06
InAsP/InGaAsP量子阱的子带跃迁计算 期刊论文
半导体光电, 1999, 期号: 05
张永刚; 李爱珍; 陈建新
收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2012/03/29
高性能BiCMOS制造技术及I/O电路优化 期刊论文
电子学报, 1998, 期号: 02
胡旭宏; 张敏; 俞波; 黄焕章
收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2012/03/29
Si离子注入对分子束外延Si_(1-x)Ge_x/Si量子阱发光特性的影响 期刊论文
物理学报, 1998, 期号: 06
杨宇; 夏冠群; 赵国庆; 王迅
收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2012/03/29


©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace