Si离子注入对分子束外延Si_(1-x)Ge_x/Si量子阱发光特性的影响

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	Si离子注入对分子束外延Si_(1-x)Ge_x/Si量子阱发光特性的影响
	杨宇 ; 夏冠群 ; 赵国庆 ; 王迅
刊名	物理学报
	1998
期号	06
ISSN号	1000-3290
中文摘要	对分子束外延生长带边激子发光的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ量子阱结构，通过Ｓｉ离子自注入和不同温度退火，观测到深能级发光带和带边激子发光的转变．Ｓｉ离子注入量子阱中并在６００℃的低温退火，形成链状或小板式的团簇缺陷，它导致深能级发光带的形成，在８５０℃的高温退火后重新观测到带边激子发光．这种团簇缺陷的热离化能约为０１ｅＶ，比Ｓｉ中空穴或填隙原子缺陷的热激活能（约００５ｅＶ）高．这表明早期文献中报道的深能级发光带是由类似的团簇缺陷产生的．
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104260]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	杨宇,夏冠群,赵国庆,等. Si离子注入对分子束外延Si_(1-x)Ge_x/Si量子阱发光特性的影响[J]. 物理学报,1998(06).
APA	杨宇,夏冠群,赵国庆,&王迅.(1998).Si离子注入对分子束外延Si_(1-x)Ge_x/Si量子阱发光特性的影响.物理学报(06).
MLA	杨宇,et al."Si离子注入对分子束外延Si_(1-x)Ge_x/Si量子阱发光特性的影响".物理学报 .06(1998).