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| 硅离子注入引入纳米晶对SIMOX材料进行总剂量辐射加固 期刊论文
功能材料与器件学报, 2011, 期号: 02
王茹; 张正选; 俞文杰; 毕大炜; 陈明; 刘张李; 宁冰旭
  收藏 | 浏览/下载：18/0 | 提交时间：2012/04/13
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| 应用埋氧层注氮工艺对SIMOX SOI材料辐射加固的研究 会议论文
第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会, 2011
郑中山; 刘忠立; 张国强; 李宁; 李国花; 张恩霞; 张正选; 王曦
收藏 | 浏览/下载：28/0 | 提交时间：2012/01/18
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| 用Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管表征SIMOX SOI材料的抗总剂量辐射能力 会议论文
第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会, 2009
毕大炜; 张正选; 张帅; 俞文杰; 陈明
收藏 | 浏览/下载：25/0 | 提交时间：2012/01/18
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| 注硅改性SIMOX材料的总剂量效应研究 会议论文
第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会, 2009
张帅; 张正选; 毕大炜; 陈明
收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2012/01/18
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| 注硅工艺对埋氧层中陷阱电荷的影响 会议论文
第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会, 2009
王茹; 张正选; 俞文杰; 田浩; 毕大炜; 张帅; 陈明
收藏 | 浏览/下载：43/0 | 提交时间：2012/01/18
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| 超薄SIMOX SOI材料的总剂量加固技术初探 学位论文
硕士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2009
张帅
收藏 | 浏览/下载：19/0 | 提交时间：2012/03/06
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| 一种抗辐照高可靠的相变存储器器件单元及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101114666, 申请日期: 2008-01-30, 公开日期: 2008-01-30
宋志棠; 吴良才; 刘卫丽; 刘波; 封松林
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2012/01/06 |
| PD CMOS/SOI抗辐射54HC电路设计及制造 学位论文
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2008
贺威
收藏 | 浏览/下载：22/0 | 提交时间：2012/03/06
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| 基于绝缘体上的硅材料的场效应晶体管抗辐照的加固方法 成果
鉴定: 无, 2007
张恩霞; 张正选; 王曦; 孙佳胤; 钱聪; 贺威
收藏 | 浏览/下载：125/0 | 提交时间：2013/04/12 |
| 注硅工艺对UNIBOND SOI材料抗辐照性能的影响 会议论文
第六届中国功能材料及其应用学术会议, 2007
武爱民; 陈静; 张恩霞; 杨慧; 张正选; 王曦
收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2012/01/18
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