| 一种抗辐照高可靠的相变存储器器件单元及其制作方法 | |
| 宋志棠 ; 吴良才 ; 刘卫丽 ; 刘波 ; 封松林 | |
| 2008-01-30 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101114666 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种抗辐照高可靠的相变存储器器件单元及其制作方法。该 相变存储器的外围电路制作在抗辐照加固的衬底上。存储单元由一个可逆相 变电阻和一个pn结二极管构成，形成1D1R结构。利用SiO2等介质材料把 1D1R封装起来，加上1D1R器件单元小以及射线、粒子可作用的几率小等 优点，从而实现了抗辐照的1D1R存储单元。存储单元通过上下电极散热， 通过相变材料与电极材料之间热阻层的厚度调节热量平衡点。由抗辐照的 1D1R存储单元构成存储阵列，加上SOI衬底上的外围电路，从而形成抗辐 照 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2008-01-30 |
| 申请日期 | 2007-08-03 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200710044534.4 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48779]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋志棠,吴良才,刘卫丽,等. 一种抗辐照高可靠的相变存储器器件单元及其制作方法. CN101114666. 2008-01-30. |
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