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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种用于微波频段的穿硅同轴线的制造方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102097672A, 申请日期: 2011-06-15, 公开日期: 2011-06-15 汤佳杰; 罗乐; 徐高卫; 袁媛 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/01/06 质子注入MBE碲镉汞n-on-p结性能研究 期刊论文 物理学报, 2003, 期号: 06 陈贵宾; 李志锋; 蔡炜颖; 何力; 胡晓宁; 陆卫; 沈学础 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2012/01/06 微机电系统  体硅工艺  侧壁扩散  绝缘工艺  加速度传感器