质子注入MBE碲镉汞n-on-p结性能研究

	质子注入MBE碲镉汞n-on-p结性能研究
	陈贵宾 ; 李志锋 ; 蔡炜颖 ; 何力 ; 胡晓宁 ; 陆卫 ; 沈学础
刊名	物理学报
	2003
期号	06
关键词	微机电系统体硅工艺侧壁扩散绝缘工艺加速度传感器
ISSN号	1000-3290
中文摘要	基于中波响应波段的分子束外延碲镉汞薄膜材料成功制备出不同质子注入剂量的大光敏元 ( 5 0 0 μm× 5 0 0 μm)的n on p结构的p n结 ,并对相应的p n结的电流电压 (I V)特性进行了研究 .质子注入剂量为 2× 10 1 5cm- 2 时R0 A达 3 12 .5Ω·cm2 ,低温热处理后达 490Ω·cm2 .
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50119]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	陈贵宾,李志锋,蔡炜颖,等. 质子注入MBE碲镉汞n-on-p结性能研究[J]. 物理学报,2003(06).
APA	陈贵宾.,李志锋.,蔡炜颖.,何力.,胡晓宁.,...&沈学础.(2003).质子注入MBE碲镉汞n-on-p结性能研究.物理学报(06).
MLA	陈贵宾,et al."质子注入MBE碲镉汞n-on-p结性能研究".物理学报 .06(2003).