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总剂量辐射环境下微纳器件长期可靠性退化机理探究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  赵京昊
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/07/15
沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究 期刊论文
电子学报, 2018, 卷号: 46, 期号: 5, 页码: 1128-1132
作者:  崔江维;  郑齐文;  余德昭;  周航;  苏丹丹
收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2018/07/06
γ射线辐照对130 nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响 期刊论文
红外与激光工程, 2018, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 214-219
作者:  马腾;  苏丹丹;  周航;  郑齐文;  崔江维
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2018/10/18
纳米PMOSFET负偏压温度不稳定性测试方法 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2017, 卷号: 37, 期号: 6, 页码: 433-437
作者:  崔江维;  郑齐文;  余徳昭;  周航;  苏丹丹
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2018/01/18
混合工艺DAC及ADC的总剂量效应研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:  王信
收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2016/09/27
混合工艺DAC及ADC的总剂量效应研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2016
作者:  王信
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2016/09/27
深亚微米N沟道MOS晶体管的总剂量效应 期刊论文
微电子学, 2015, 卷号: 45, 期号: 5, 页码: 666-669
作者:  文林;  李豫东;  郭旗;  孙静;  任迪远;  崔江维;  汪波;  玛丽娅;  郭旗;  李豫东
收藏  |  浏览/下载：66/0  |  提交时间：2016/06/07
电子辐照深亚微米MOS晶体管的总剂量效应简 期刊论文
微电子学, 2015, 卷号: 45, 期号: 4, 页码: 537-540+544
作者:  文林;  李豫东;  郭旗;  孙静;  任迪远
收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2015/09/09
用于纵向NPN晶体管电离辐射损伤的定量测试方法 专利
申请日期: 2014-07-16,
作者:  陆妩;  郭旗;  王信;  马武英;  李豫东
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/08/09
一种用于横向NPN晶体管电离辐射损伤的定量测试方法 专利
申请日期: 2014-07-16,
作者:  陆妩;  郭旗;  马武英;  王信;  孙静
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/08/09

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