QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：长春光学精密机械与物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 AlGaN UV Detector with Largely Enhanced Heat Dissipation on Mo Substrate Enabled by van der Waals Epitaxy 期刊论文 2022 作者:  Y. Chen;  H. Zang;  J. Ben;  S. Zhang;  K. Jiang 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2023/06/14 Construction of van der Waals substrates for largely mismatched heteroepitaxy systems using first principles 期刊论文 Science China-Physics Mechanics & Astronomy, 2019, 卷号: 62, 期号: 12, 页码: 7 作者:  Z.M.Shi;  X.J.Sun;  Y.P.Jia;  X.K.Liu;  S.L.Zhang 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/08/24 van der Waals epitaxy,2D materials,first principles,light-emitting-diodes,phase epitaxy growth,algan/gan hemts,boron-nitride,gan,graphene,layer,nanosheets,crystals,semiconductor,Physics   The defect evolution in homoepitaxial AlN layers grown by high-temperature metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文 Crystengcomm, 2018, 卷号: 20, 期号: 19, 页码: 2720-2728 作者:  Jiang, K.;  Sun, X. J.;  Ben, J. W.;  Jia, Y. P.;  Liu, H. N. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/09/17 light-emitting-diodes  screw dislocations  threading dislocations  phase  epitaxy  gan  films  algan  core  edge  generation  Chemistry  Crystallography   Effects of Post Annealing Treatments on the Interfacial Chemical Properties and Band Alignment of AlN/Si Structure Prepared by Atomic Layer Deposition 期刊论文 Nanoscale Research Letters, 2017, 卷号: 12 作者:  Sun, L.;  H. L. Lu;  H. Y. Chen;  T. Wang;  X. M. Ji 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2018/06/13 Stress-induced in situ epitaxial lateral overgrowth of high-quality GaN 期刊论文 Crystengcomm, 2014, 卷号: 16, 期号: 34, 页码: 8058-8063 Liu X. T.; Li D. B.; Sun X. J.; Li Z. M.; Song H.; Jiang H.; Chen Y. R. 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2015/04/24