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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Abnormal InGaN growth behavior in indium-desorption regime in metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 卷号: 409, 期号: 0, 页码: 51-55 作者:  Zhou, K(周堃);  Ikeda, M;  Liu, JP(刘建平);  Zhang, SM(张书明);  Li, ZC(李增成) 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2015/02/03 Growth models  Metalorganic vapor phase epitaxy  Nitrides  Semiconducting III-V materials   Influence of substrate surface defects on the homoepitaxial growth of GaN (0001) by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 卷号: 416, 页码: 7 作者:  Zhou, K(周堃);  Liu, JP(刘建平);  Ikeda, M;  Zhang, SM(张书明);  Li, DY(李德尧) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2015/12/31 Surface structure  Metalorganic vapor phase epitaxy  Nitrides  Semiconducting III-V materials   The investigation of GaInP solar cell grown by all-solid MBE 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 378, 期号: 0, 页码: 604-606 作者:  Lu, SL(陆书龙);  Ji, L 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2014/01/15 Molecular beam epitaxy  Semiconducting III-V materials  Solar cells   Hillock formation and suppression on c-plane homoepitaxial GaN Layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 371, 期号: 0, 页码: 7-10 作者:  Li, DY(李德尧);  Zhang, SM(张书明);  Liu, JP(刘建平);  Zhang, LQ(张立群);  Yang, H(杨辉) 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2014/01/13 Surface structure  Metalorganic vapor phase epitaxy  Nitrides  Semiconducting III-V materials   Theoretical Study about the formation of the stacking faults in GaN nanowires along different growth directions 会议论文 International Conference on Computational Materials Science, Guangzhou, PEOPLES R CHINA, APR 17-18, 2011 作者:  Zhang, JP (张锦平);  Yang, H (杨辉);  Xu, K (徐科);  Gong, XJ (弓晓晶);  Gong, XJ (弓晓晶) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/08/24 Gallium nitride nanowire  stacking faults  molecular dynamics simulations