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苏州纳米技术与纳米... [29]
内容类型
期刊论文 [29]
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2016 [6]
2015 [2]
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专题:苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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Exploring the optimum growth conditions for InAs/GaSb and GaAs/GaSb superlattices on InAs substrates by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2018
作者:
Zhao, Yu
;
Huang, Yong(黄勇)
;
Hao, Xiujun
;
Teng, Yan
;
Wu, Qihua(吴启花)
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浏览/下载:87/0
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提交时间:2019/03/27
High quality InP epilayers grown on GaAs substrates using metamorphic AlGaInAs buffers by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2017
作者:
Sun, Yurun(孙玉润)
;
Dong, Jianrong(董建荣)
;
Yu, Shuzhen(于淑珍)
;
Zhao, Yongming(赵勇明)
;
He, Yang(何洋)
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2018/02/05
High-Performance Mid-Wavelength InAs/GaSb Superlattice Infrared Detectors Grown by Production-Scale Metalorganic Chemical Vapor Deposition
期刊论文
IEEE Journal of Quantum Electronics, 2017
作者:
Huang, Yong(黄勇)
;
Xiong, Min(熊敏)
;
Wu, Qihua(吴启花)
;
Dong, Xu
;
Zhao, Yingchun
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浏览/下载:63/0
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提交时间:2018/02/05
Emission efficiency enhanced by introduction of the homogeneous localization states in InGaN/GaN multiple quantum well LEDs
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 681
作者:
Yang, J
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Chen, P
;
Zhu, JJ
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2017/03/11
Photoelectron spectroscopy study of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD
期刊论文
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2016, 卷号: 122, 期号: 9
作者:
Liang, F
;
Chen, P
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Zhao, ZJ
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2017/03/11
Investigation of breakdown mechanism during field emission process of AlN thin film microscopic cold cathodee
期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2016, 卷号: 34, 期号: 1
作者:
Liang, F
;
Chen, P
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Liu, ZS
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2017/03/11
Observation of positive and small electron affinity of Si-doped AlN films grown by metalorganic chemical vapor deposition on n-type 6H-SiC
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2016, 卷号: 25, 期号: 5
作者:
Liang, F
;
Chen, P
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Zhao, ZJ
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2017/03/11
XPS study of impurities in Si-doped AlN film
期刊论文
SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS, 2016, 卷号: 48, 期号: 12
作者:
Liang, F
;
Chen, P
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Zhao, ZJ
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2017/03/11
Large field emission current from Si-doped AlN film grown by MOCVD on n-type (001) 6H-SiC
期刊论文
CHEMICAL PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 651
作者:
Liang, F
;
Chen, P
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Liu, ZS
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2017/03/11
Abnormal InGaN growth behavior in indium-desorption regime in metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 卷号: 409, 期号: 0, 页码: 51-55
作者:
Zhou, K(周堃)
;
Ikeda, M
;
Liu, JP(刘建平)
;
Zhang, SM(张书明)
;
Li, ZC(李增成)
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2015/02/03
Growth models
Metalorganic vapor phase epitaxy
Nitrides
Semiconducting III-V materials
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