CORC

在结果中检索

CORC

浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Investigation of the reverse recovery characteristics of vertical bulk GaN-based Schottky rectifiers 期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2018
作者:  Gu, Hong(顾泓);  Zhang, Zhiqiang(张志强);  Zhou, Taofei(周桃飞);  Xu, Ke(徐科);  Tian, Feifei(田飞飞)
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/03/27
Properties of AlN film grown on Si (111) 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2016, 卷号: 435
作者:  Dai, YQ;  Li, SM;  Sun, Q(孙钱);  Peng, Q;  Gui, CQ
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2017/03/11
Study of optical properties of bulk GaN crystals grown by HVPE 期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 674
作者:  Gu, H(顾泓);  Ren, GQ(任国强);  Zhou, TF(周桃飞);  Tian, FF(田飞飞);  Xu, Y(徐俞)
收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2017/03/11
The electrical properties of bulk GaN crystals grown by HVPE 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2016, 卷号: 436
作者:  Gu, H(顾泓);  Ren, GQ(任国强);  Zhou, TF(周桃飞);  Tian, FF(田飞飞);  Xu, Y(徐俞)
收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2017/03/11
Injection current dependences of electroluminescence transition energy in InGaN/GaN multiple quantum wells light emitting diodes under pulsed current conditions 期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015, 卷号: 118, 期号: 3, 页码: 9
作者:  Zhang, F(张峰);  Ikeda, M;  Zhou, K(周堃);  Liu, ZS;  Liu, JP(刘建平)
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2015/12/31
Abnormal InGaN growth behavior in indium-desorption regime in metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 卷号: 409, 期号: 0, 页码: 51-55
作者:  Zhou, K(周堃);  Ikeda, M;  Liu, JP(刘建平);  Zhang, SM(张书明);  Li, ZC(李增成)
收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2015/02/03
Progress in bulk GaN growth 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 16
作者:  Xu, K(徐科);  Wang, JF(王建峰);  Ren, GQ(任国强)
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2015/12/31
Polymer/porous GaN bulk heterojunction and its optoelectronic property 期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2014, 卷号: 314, 期号: 0, 页码: 464-467
作者:  Pan GB(潘革波);  Wang FX(王凤霞)
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2014/12/01
Comparison of morphology, structure and optical properties of GaN powders prepared by Ga2O3 nitridation and gallium nitridation 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 367, 期号: 0, 页码: 48-52
作者:  Zhang, JP(张锦平);  Zeng, XH(曾雄辉);  Xu, K(徐科);  Xu, Y(徐俞);  Wang, JF(王建峰)
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2014/01/09
Ab initio Calculations of Deep-Level Carrier Nonradiative Recombination Rates in Bulk Semiconductors 期刊论文
Physical Review Letters, 2012, 卷号: 109, 期号: 24
作者:  Lin Shi(石林)
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/01/22

©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace