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Investigation on the performance and efficiency droop behaviors of InGaN/GaN multiple quantum well green LEDs with various GaN cap layer thicknesses 期刊论文
VACUUM, 2016, 卷号: 129
作者:  Yang, J;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Zhu, JJ
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2017/03/11
Emission efficiency enhanced by introduction of the homogeneous localization states in InGaN/GaN multiple quantum well LEDs 期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 681
作者:  Yang, J;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Zhu, JJ
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2017/03/11
Influence of InGaN growth rate on the localization states and optical properties of InGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2016, 卷号: 97
作者:  Li, X;  Zhao, DG;  Yang, J;  Jiang, DS;  Liu, ZS
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2017/03/11
Morphological dependent Indium incorporation in InGaN/GaN multiple quantum wells structure grown on 4 degrees misoriented sapphire substrate 期刊论文
AIP ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 期号: 3
作者:  Jiang, T;  Xu, SR;  Zhang, JC;  Li, PX;  Huang, J(黄俊)
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2017/03/11
Localization effect in green light emitting InGaN/GaN multiple quantum wells with varying well thickness 期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2015, 卷号: 625, 页码: 5
作者:  Liu, W;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Liu, ZS
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2015/12/31
Temperature dependence of photoluminescence spectra for green light emission from InGaN/GaN multiple wells 期刊论文
OPTICS EXPRESS, 2015, 卷号: 23, 期号: 12, 页码: 9
作者:  Liu, W;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Liu, ZS
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2015/12/31
Optical and structural characteristics of high indium content InGaN/GaN multi-quantum wells with varying GaN cap layer thickness 期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 6
作者:  Yang, J;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Zhu, JJ
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2015/12/31
Influence of substrate surface defects on the homoepitaxial growth of GaN (0001) by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 卷号: 416, 页码: 7
作者:  Zhou, K(周堃);  Liu, JP(刘建平);  Ikeda, M;  Zhang, SM(张书明);  Li, DY(李德尧)
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2015/12/31
Effects of polarization and p-type GaN resistivity on the spectral response of InGaN/GaN multiple quantum well solar cells 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2014, 卷号: 23, 期号: 6
作者:  Yang, J;  Yang H(杨辉)
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2014/12/08
Multi-bands photoconductive response in AlGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 卷号: 104, 期号: 7
作者:  Chen, G;  Wang, XQ;  Fu, K (付凯);  Rong, X;  Hashimoto, H
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2014/12/19

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