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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Photovoltaic Response of InGaN/GaN Multi-quantum Well Solar Cells Enhanced by Reducing p-type GaN Resistivity 期刊论文 IEEE JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS, 2016, 卷号: 6, 期号: 2 作者:  Yang, J;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Zhu, JJ 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/03/11 The thickness design of unintentionally doped GaN interlayer matched with background doping level for InGaN-based laser diodes 期刊论文 AIP ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 期号: 3 作者:  Chen, P;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhu, JJ;  Liu, ZS 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/03/11 Effects of polarization and p-type GaN resistivity on the spectral response of InGaN/GaN multiple quantum well solar cells 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2014, 卷号: 23, 期号: 6 作者:  Yang, J;  Yang H(杨辉) 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2014/12/08 nitride materials  external quantum efficiency  polarization  p-type GaN resistivity