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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：金属研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Coupled Current Jumps and Domain Wall Creeps in a Defect-Engineered Ferroelectric Resistive Memory 期刊论文 ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2021, 页码: 10 作者:  Huang, Biaohong;  Xie, Zhongshuai;  Feng, Dingshuai;  Li, Lingli;  Li, Xiaoqi 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2022/07/01 BiFeO3  current jump  domain wall creep  ferroelectric resistive switching  oxygen vacancy  space-charge-limited current   Charged domain wall modulation of resistive switching with large ON/OFF ratios in high density BiFeO3 nano-islands 期刊论文 ACTA MATERIALIA, 2020, 卷号: 187, 页码: 12-18 作者:  Han, M. J.;  Tang, Y. L.;  Wang, Y. J.;  Zhu, Y. L.;  Ma, J. Y. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2021/02/02 Resistive switching behavior  Charged domain walls  Conductive filament mode  Transmission electron microscopy  Piezoresponse force microscopy   Charged domain wall modulation of resistive switching with large ON/OFF ratios in high density BiFeO3 nano-islands 期刊论文 ACTA MATERIALIA, 2020, 卷号: 187, 页码: 12-18 作者:  Han, M. J.;  Tang, Y. L.;  Wang, Y. J.;  Zhu, Y. L.;  Ma, J. Y. 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2021/02/02 Resistive switching behavior  Charged domain walls  Conductive filament mode  Transmission electron microscopy  Piezoresponse force microscopy