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Si图形衬底上外延半极性（10-11）GaN 学位论文
2015, 2015
刘建明
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2016/02/23
Symmetrically abrupt GaN/AlGaN superlattices by alternative interface-interruption scheme 期刊论文
http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2012.432, 2013
Chen, Xiaohong; Lin, Na; Cai, Duanjun; Zhang, Yong; Chen, Hangyang; Kang, Junyong; 陈小红; 蔡端俊; 张勇; 陈航洋; 康俊勇
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/07/22
Fabrication of p-Si/beta-FeSi2/n-Si double-heterostructure light-emitting diode by molecular beam epitaxy 期刊论文
2005
Takauji, M; Li, C; Suemasu, T; Hasegawa, F; 李成
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2013/12/12
Band gap and heterojunction discontinuities of pseudomorphic Si1-x-yGexCy alloy layers on Si(001) 期刊论文
http://dx.doi.org/10.1063/1.368278, 1998
Wu, L. Q.; Huang, M. C.; Zhu, Z. Z.; Li, K. H.; 李开航
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2013/12/12
SI  GE  SILICON  SI1-YCY  STRAIN  SYSTEM  
Average-bond-energy model for valence-band offsets: Its physical basis, and applications to twenty eight heterojunctions 期刊论文
1997
Ke, S. H.; Wang, R. Z.; Huang, M. C.; 黄美纯
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2013/12/12
平均键能模型的物理基础及该模型的应用 期刊论文
1996
柯三黄; 王仁智; 黄美纯
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2011/06/20
Average bond energy model for determining valence-band offsets at strained heterointerfaces Si,Ge,InP,GaAs/GexSi1-x 期刊论文
http://dx.doi.org/10.1063/1.362896, 1996
Ke, S. H.; Wang, R. Z.; Huang, M. C.; 黄美纯
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2013/12/12
不同晶面与应变状态下Si/Ge应变异质界面的价带能量不连续性 期刊论文
1996
柯三黄; 黄美纯; 王仁智
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2016/05/17
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不同晶面与应变状态下Si／Ge应变异质界面的价带能量不连续 期刊论文
1996
柯三黄; 黄美纯; 王仁智
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2011/06/20
AVERAGE BOND-ENERGY AND DEFORMATION POTENTIALS - APPLICATION TO SI-GE HETEROINTERFACES 期刊论文
http://dx.doi.org/10.1016/0921-4526(95)00415-7, 1995
Ke, S. H.; Wang, R. Z.; Huang, M. C.; 黄美纯
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2013/12/12

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