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SiO_2基底Nb原位掺杂MoS_2纳米薄膜的制备及场效应 期刊论文
2019, 卷号: 33, 期号: 12, 页码: 1975-1982
作者:  孙钰琨;  白波;  马美玲;  王洪伦;  索有瑞
收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2019/11/26
无膜且具有重现性的MoS场效应晶体管生物传感器用于高灵敏度和高选择性地检测FGF21 期刊论文
Science China Materials, 2019, 卷号: 第10期, 页码: 1479-1487
作者:  龚新星;  刘业茹;  向海燕;  刘航;  刘志刚
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/13
沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究 期刊论文
电子学报, 2018, 卷号: 46, 期号: 5, 页码: 1128-1132
作者:  崔江维;  郑齐文;  余德昭;  周航;  苏丹丹
收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2018/07/06
γ射线辐照对130 nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响 期刊论文
红外与激光工程, 2018, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 214-219
作者:  马腾;  苏丹丹;  周航;  郑齐文;  崔江维
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2018/10/18
杂质吸附对背栅MoS2场效应晶体管电学性能的影响 期刊论文
电子器件, 2018, 卷号: 41, 页码: 1367-1371
作者:  蔡剑辉[1];  陈治西[2];  刘晨鹤[3];  张栋梁[4];  刘强[5]
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/04/22
基于CVD法制备的单层二硫化钼的光电晶体管特性研究 期刊论文
仪表技术与传感器, 2018, 期号: 3, 页码: 10-13
作者:  杨启志[1];  方佳佳[2];  王权[3]
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/24
纳米PMOSFET负偏压温度不稳定性测试方法 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2017, 卷号: 37, 期号: 6, 页码: 433-437
作者:  崔江维;  郑齐文;  余徳昭;  周航;  苏丹丹
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2018/01/18
具有86mV/dec亚阈值摆幅的MoS2/SiO2场效应晶体管 期刊论文
红外与毫米波学报, 2017, 卷号: 36, 页码: 543-549
作者:  刘强[1];  蔡剑辉[2];  何佳铸[3];  王翼泽[4];  张栋梁[5]
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/04/24
杂质对二硫化钼场效应晶体管磁滞效应的影响 期刊论文
电子元件与材料, 2017, 卷号: 36, 期号: 4, 页码: 52-55
作者:  方佳佳[1];  杨启志[2];  王权[3]
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/24
沟道形状对无结型多栅器件性能影响探究 期刊论文
2016, 2016
胡梦月; 梁仁荣; 王敬; 许军; HU Mengyue; LIANG Renrong; WANG Jing; XU Jun
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