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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 内容类型：其他     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Nanowire transistor solutions for 5nm and beyond 其他 2016-01-01 Asenov, A.; Wang, Y.; Cheng, B.; Wang, X.; Asenov, P.; Al-Ameri, T.; Georgiev, V.P. 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2017/12/03 Nanowire Transistor Solutions for 5nm and Beyond 其他 2016-01-01 Asenov, A.; Wang, Y.; Cheng, B.; Wang, X.; Asenov, P.; Al-Ameri, T.; Georgiev, V. P. 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2017/12/03 Compact model  Monte Carlo  nanowire transistor  Poisson-Schrodinger  SRAM  statistical variability  INTRINSIC PARAMETER FLUCTUATIONS  SIMULATION  MOSFETS  VARIABILITY   Efficient and Scalable Detection of Overlapping Communities in Big Networks 其他 2016-01-01 Lyu, Tianshu; Bing, Lidong; Zhang, Zhao; Zhang, Yan 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03 Community detection  Potential Games  Heuristic   Duty Cycle Shift under Static/Dynamic Aging in 28nm HK-MG Technology 其他 2015-01-01 Sutaria, Ketul B.; Ren, Pengpeng; Mohanty, Abinash; Feng, Xixiang; Wang, Runsheng; Huang, Ru; Cao, Yu 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2017/12/03 Aging  NBTI  PBTI  Duty Cycle Shift  BTI   Carbon nanotube electronics: merits and fundamental limits 其他 2015-01-01 Lian-Mao Peng 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2017/12/03 Carbon nanotubes  field-effect transistors  nanoelectronics  optoelectronics  Carbon nanotubes  field-effect transistors  nanoelectronics  optoelectronics   Recessed source/drain for scaling SOI MOSFET to the limit 其他 2007-01-01 Ke, Wei; Han, Xu; Li, Dingyu; Liu, Xiaoyan; Han, Ruqi; Zhang, Shengdong 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/12 Scalability and parasitic effect of UTB SOI MOSFETs with raised S/D and sunk S/D 其他 2004-01-01 Ke, W; Zhang, SD; Liu, XY; Han, RQ 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/13 Scalability and parasitic effect of UTB SOI MOSFETs with raised S/D and sunk S/D 其他 2004-01-01 Ke, Wei; Zhang, Shengdong; Liu, Xiaoyan; Han, Ruqi 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/13