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内容类型:会议论文
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发表日期升序
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Research on the properties of HfO2optical films prepared with APS assisted electron beam evaporation deposition
会议论文
Hangzhou, China, 2021-05-23
作者:
Pan, Yong-Gang
;
Liu, Zheng
;
Li, Mian
;
Liu, Wen-Cheng
;
Bai, Long
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2021/09/14
thin film
APS assisted deposition
Laser damage threshold
Orthogonal experiment
A Capacitor Voltage Balancing Control Method for Modular Multilevel Converter Based on Variable Threshold Interval Sub-modules Grouping
会议论文
Chengdu, China, May 7-10, 2021
作者:
Wang C(王臣)
;
Wang AN(王安娜)
;
Zhang T(张涛)
;
Zhang HL(张华良)
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2021/12/20
modular multilevel converter
voltage balance of capacitance
voltage threshold range
comparison of variable reference value
switching frequenc
An expression for oscillation amplitude of NMOS/PMOS complementary cross-coupled LCtank oscillator
会议论文
Xi'an, China, 2019-6-12-2019-6-14
作者:
Feng Zhang
;
Chunyu Ma
;
Ting Zhao
收藏
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2019/10/08
Nmos/pmos Complementary Cross-coupled
Lc-tank Oscillator
Oscillation Amplitude
The threshold voltage degradation of MOSFET in heavy-ion single event effect test
会议论文
Beijing, China, May 16, 2018 - May 18, 2018
作者:
Zhang, Zeming
;
Ma, Yingqi
;
Li, Dan
;
Tong, Chao
;
Guo, Xiaoxiao
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2019/12/26
Research on Radiation-Induced Threshold Voltage Shifts in Power MOSFET Based on Charge-Pumping Method
会议论文
作者:
Ding Y(丁艳)
;
Wang LX(王立新)
;
Zhang YF(张彦飞)
;
Liu MX(刘梦新)
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/05/13
The Performance Investigation of Junctionless Transistor by Considering Different Recessed Gates
会议论文
Shenzhen, China, June 6, 2018 - June 8, 2018
作者:
Lou, Haijun
;
Li, Wentao
;
Yang, Yumei
;
Lin, Xinnan
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2020/11/15
Drain current
Threshold voltage
junctionless
Junctionless transistors
Recessed gate
sidewall
Sidewall angles
Subthreshold
The Increased Single-Event Upset Sensitivity of 65-nm DICE SRAM Induced by Total Ionizing Dose
会议论文
Geneva, SWITZERLAND, OCT 02-06, 2017
作者:
Zheng, Qiwen
;
Cui, Jiangwei
;
Lu, Wu
;
Guo, Hongxia
;
Liu, Jie
收藏
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2018/10/08
Charge sharing
single-event upset (SEU)
static random access memory
total ionizing dose (TID)
The Mitigating Effects of the Threshold Voltage Shifting on the False Turn-on of GaN E-HEMTs
会议论文
作者:
Xu, Guangzhao
;
Yang, Xu
;
Xie, Ruiliang
;
Zhang, Feng
;
Wang, Naizeng
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/11/26
Characterization of Transient Threshold Voltage Shifts in Enhancement-and Depletion-mode AlGaN/GaN Metal-Insulator-Semiconductor (MIS)-HEMTs
会议论文
作者:
Cui, Miao
;
Cai, Yutao
;
Lam, Sang
;
Liu, Wen
;
Zhao, Chun
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/11/26
AlGaN/GaN MIS-HEMTs
Frequency dependence
Frequency independent
High-voltage switching
Metal-insulator-semiconductors
MIS-HEMT
Threshold voltage shifts
Voltage hysteresis
An Improved Active Gate Drive Method for SiC MOSFET Better Switching Performance
会议论文
Proceedings of 2018 IEEE 3rd Advanced Information Technology, Electronic and Automation Control Conference, IAEAC 2018
作者:
Xu, C.
;
Ma, Q.
;
Xu, P.
;
Cui, T.
;
Zhang, P.
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/12/30
Electromagnetic pulse
Silicon carbide
SPICE
Switching
Threshold voltage
Active gate drives
Circuit elements
Gate resistance
SiC MOSFET
Supply voltages
Switching loss
Switching performance
Theoretical derivations
MOSFET devices
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