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科研机构
半导体研究所 [5]
清华大学 [1]
内容类型
会议论文 [6]
发表日期
2010 [1]
2006 [1]
2002 [1]
2001 [1]
1998 [2]
学科主题
半导体材料 [4]
半导体物理 [1]
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Properties of Sr-doped BaTiO/sub 3/ based X7R ceramic materials
会议论文
Key Engineering Materials, 3rd International Conference on High-Performance Ceramics (CICC-3), Shenzhen, China, INSPEC
Hai Wen
;
Xiaohui Wang
;
Longtu Li
;
Zhilun Gui
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浏览/下载:5/0
The difference of Si doping efficiency in GaN and AlGaN in GaN-based HBT structure
会议论文
32nd international symposium on compound semiconductors, rust, germany, sep 18-22, 2005
Ran, JX
;
Wang, XL
;
Hu, GX
;
Li, JP
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Zeng, YP
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:167/71
  |  
提交时间:2010/03/29
ALN
IMPURITIES
DONOR
Effects of residual C and O impurities on photoluminescence in undoped GaN epilayers
会议论文
9th international conference on defects: recognition, imaging and physics in semiconductors (drip ix), rimini, italy, sep 24-28, 2001
Kang JY
;
Shen YW
;
Wang ZG
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/15
defects
GaN
photoluminescence
electronic structures
YELLOW LUMINESCENCE
EPITAXIAL-FILMS
MG
Hydrogen behavior in GaN epilayers grown by NH3-MBE
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
Kong MY
;
Zhang JP
;
Wang XL
;
Sun DZ
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/15
impurities
molecular beam epitaxy
nitrides
semiconducting III-V materials
GALLIUM NITRIDE
SAPPHIRE SUBSTRATE
DEFECTS
HETEROSTRUCTURE
SEMICONDUCTORS
STRESS
Electronic and vibrational Raman scattering in resonance with yellow luminescence transitions in GaN on sapphire substrate
会议论文
24th ieee international symposium on compound semiconductors, san diego, california, sep 08-11, 1997
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/15
SHALLOW DONORS
Hydrogen related defects in InP
会议论文
symposium on light emitting devices for optoelectronic applications / 28th state-of-the-art program on compound semiconductors at 193th electrochemical-soc meeting, san diego, ca, may 03-08, 1998
Han YJ
;
Liu XL
;
Jiao JH
;
Lin LY
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/10/29
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