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| 一种在n型4H/6H-SiC硅面上制备周期性石墨烯PN结的方法 专利
申请日期: 2019-05-28, 公开日期: 2019-05-28
作者: 陈秀芳; 秦笑; 徐现刚; 李妍璐; 赵显
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| 半导体激光器驱动电路 专利
专利号: CN208571225U, 申请日期: 2019-03-01, 公开日期: 2019-03-01
作者: 徐迎彬
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| 一种光响应敏感的碲化铋薄膜和硅基片形成的PN结材料 专利
专利号: 201610183745.5, 申请日期: 2019-02-12,
作者: 王振华; 张志东; 李名泽; 杨亮; 赵晓天; 高翾
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| 一种半导体激光器件及其制作方法 专利
专利号: CN108923256A, 申请日期: 2018-11-30, 公开日期: 2018-11-30
作者: 胡海; 何晋国
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| 一种SOIMOSFET器件的建模方法 专利
专利号: CN201510303560.9, 申请日期: 2018-11-02, 公开日期: 2015-09-30
作者: 卜建辉 ; 罗家俊; 韩郑生
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| 一种基于SCR的集成电路静电保护器件 专利
专利号: CN201210524550.4, 申请日期: 2018-08-10, 公开日期: 2014-06-11
作者: 王任卿; 陆江; 苏江; 朱阳军
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| 一种硅掺杂氮化硼/石墨烯的PN结型紫外探测器制备方法 专利
申请日期: 2018-07-31, 公开日期: 2018-07-31
作者: 慈立杰; 彭瑞芹; 王旭天; 张琳
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| 一种SOI基的PN结建模方法 专利
专利号: CN201510580438.6, 申请日期: 2018-07-13, 公开日期: 2015-12-09
作者: 卜建辉; 赵博华; 罗家俊; 韩郑生
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| 一种片内堆积多有源区半导体巴条激光器芯片 专利
专利号: CN207602981U, 申请日期: 2018-07-10, 公开日期: 2018-07-10
作者: 周立
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| 激光器的制造方法 专利
专利号: CN107959225A, 申请日期: 2018-04-24, 公开日期: 2018-04-24
作者: 方瑞禹
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