CORC

在结果中检索

CORC

浏览/检索结果: 共21条，第1-10条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Light emitting device 专利
专利号: EP2535952A3, 申请日期: 2016-12-21, 公开日期: 2016-12-21
作者:  HAN, DAE SEOB;  MOON, YONG TAE;  SHIM, JONG-IN
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13
Multi-wavelength hybrid silicon laser array 专利
专利号: US8111729, 申请日期: 2012-02-07, 公开日期: 2012-02-07
作者:  SYSAK, MATTHEW;  JONES, RICHARD
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/24
Generating multiple bandgaps using multiple epitaxial layers 专利
专利号: GB2409572B, 申请日期: 2006-02-15, 公开日期: 2006-02-15
作者:  DAN, ANDREYEVITCH, YANSON;  GIANLUCA, BACCHIN;  OLEK, PETER, KOWALSKI;  STEWART, DUNCAN, MCDOUGALL
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/24
Photodiode bandgaps for reducing spontaneous emissions in photodiodes 专利
专利号: US20050286585A1, 申请日期: 2005-12-29, 公开日期: 2005-12-29
作者:  GUENTER, JAMES K.;  TATUM, JIMMY A.;  BIARD, JAMES R.
收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2020/01/18
Group III nitride LED with silicon carbide cladding layer 专利
专利号: US6952024, 申请日期: 2005-10-04, 公开日期: 2005-10-04
作者:  EDMOND, JOHN ADAM;  DOVERSPIKE, KATHLEEN MARIE;  KONG, HUA-SHUANG;  BERGMANN, MICHAEL JOHN
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/26
Low temperature epitaxial growth of quaternary wide bandgap semiconductors 专利
专利号: US6911084, 申请日期: 2005-06-28, 公开日期: 2005-06-28
作者:  KOUVETAKIS, JOHN;  TSONG, IGNATIUS S. T.;  ROUCKA, RADEK;  TOLLE, JOHN
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26
Semiconductor laser element including optical waveguide layers which have gradually varying bandgaps so as to reduce electrical resistance at interfaces 专利
专利号: US20050047463A1, 申请日期: 2005-03-03, 公开日期: 2005-03-03
作者:  AKINAGA, FUJIO;  FUKUNAGA, TOSHIAKI
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31
InGaAsP or InGaAs semiconductor laser element in which near-edge portion of active layer is substituted with GaAs optical waveguide layer having greater bandgap than active layer 专利
专利号: US6816524, 申请日期: 2004-11-09, 公开日期: 2004-11-09
作者:  FUKUNAGA, TOSHIAKI
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/26
Semiconductor laser element and process for producing the same 专利
专利号: US20030007530A1, 申请日期: 2003-01-09, 公开日期: 2003-01-09
作者:  HOSOBA, HIROYUKI;  KAN, YASUO
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31
MOCVD growth of InGaN quantum well laser structures on a grooved lower waveguiding layer 专利
专利号: US6285698, 申请日期: 2001-09-04, 公开日期: 2001-09-04
作者:  ROMANO, LINDA T.;  HOFSTETTER, DANIEL;  PAOLI, THOMAS L.
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/24

©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace