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一种半导体器件的制造方法 专利
专利号: US10115804, 申请日期: 2018-10-30, 公开日期: 2015-11-12
作者:  王桂磊;  李俊峰;  刘金彪;  赵超
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半导体器件制造方法 专利
专利号: US9418835, 申请日期: 2016-08-16, 公开日期: 2016-03-26
作者:  刘金彪;  李俊峰;  王桂磊
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Method for removing reduction of nitrogen oxide storage, involves making nitrogen oxide storage catalyst by saturated plasma process in presence of catalyst, and storing in reducing atmosphere of nitrogen oxides to nitrogen gas. 专利
申请日期: 2013-01-01, 公开日期: 2013-05-01
作者:  ZHU A ZHANG Z XU L SHI C
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动态多级缺氧/好氧污水处理方法 专利
专利类型: 发明授权, 专利号: CN102690015B, 申请日期: 2012-09-26, 公开日期: 2013-05-22
作者:  苑明哲;  孙阳;  于广平;  王宏;  于海斌
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动态多级缺氧/好氧污水处理方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102690015A, 申请日期: 2012-09-26, 公开日期: 2013-05-22
作者:  苑明哲;  孙阳;  于广平;  王宏;  于海斌
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/10/15
Laser crystal components joined with thermal management devices 专利
专利号: US20120147913A1, 申请日期: 2012-06-14, 公开日期: 2012-06-14
作者:  USHINSKY, MICHAEL
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Fabrication method for algainnpassb based devices 专利
专利号: USR41336, 申请日期: 2010-05-18, 公开日期: 2010-05-18
作者:  KONDOW, MASAHIKO;  UOMI, KAZUHISA;  NAKAMURA, HITOSHI
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/24
Semiconductor laser manufacturing method 专利
专利号: US7442628, 申请日期: 2008-10-28, 公开日期: 2008-10-28
作者:  YAMANE, KEIJI;  UEDA, TETSUO;  KIDOGUCHI, ISAO;  KAWATA, TOSHIYA
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Migration enhanced epitaxy fabrication of quantum wells 专利
专利号: US7378680, 申请日期: 2008-05-27, 公开日期: 2008-05-27
作者:  JOHNSON, RALPH H.;  BLASINGAME, VIRGIL J.
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Laser module and production process thereof 专利
专利号: US7110425, 申请日期: 2006-09-19, 公开日期: 2006-09-19
作者:  YAMANAKA, FUSAO;  OKAZAKI, YOJI;  NAGANO, KAZUHIKO;  KURAMACHI, TERUHIKO
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