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Enhanced planarity in GaN edge emitting lasers 专利
专利号: US8355422, 申请日期: 2013-01-15, 公开日期: 2013-01-15
作者:  BHAT, RAJARAM
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Planarization of GaN by photoresist technique using an inductively coupled plasma 专利
专利号: US8257987, 申请日期: 2012-09-04, 公开日期: 2012-09-04
作者:  MOUSTAKAS, THEODORE D.;  WILLIAMS, ADRIAN D.
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System and method for transferring much more information in optic fiber cables by significantly increasing the number of fibers per cable. 专利
专利号: CA2637914A1, 申请日期: 2009-07-15, 公开日期: 2009-07-15
作者:  MAYER YARON
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Single step pendeo- and lateral epitaxial overgrowth of Group III-nitride epitaxial layers with Group III-nitride buffer layer and resulting structures 专利
专利号: US6803602, 申请日期: 2004-10-12, 公开日期: 2004-10-12
作者:  KONG, HUA-SHUANG;  EDMOND, JOHN ADAM;  HABERERN, KEVIN WARD;  EMERSON, DAVID TODD
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Optical communications system and vertical cavity surface emitting laser therefor 专利
专利号: US20020163688A1, 申请日期: 2002-11-07, 公开日期: 2002-11-07
作者:  ZHU, ZUHUA;  WANG, SHIH-YUAN
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Cantilever epitaxial process 专利
专利号: US20020090816A1, 申请日期: 2002-07-11, 公开日期: 2002-07-11
作者:  ASHBY, CAROL I.;  FOLLSTAEDT, DAVID M.;  MITCHELL, CHRISTINE C.;  HAN, JUNG
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Method and apparatus for producing group-III nitrides 专利
专利号: US20010006845A1, 申请日期: 2001-07-05, 公开日期: 2001-07-05
作者:  KRYLIOUK, OLGA
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Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same 专利
专利号: US6060335, 申请日期: 2000-05-09, 公开日期: 2000-05-09
作者:  RENNIE, JOHN;  HATAKOSHI, GENICHI;  ONOMURA, MASAAKI
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Semiconductor laser having a high-reflectivity reflector on the laser facets thereof, an optical integrated device provided with the semiconductor laser, and a manufacturing method therefor 专利
专利号: US5914977, 申请日期: 1999-06-22, 公开日期: 1999-06-22
作者:  MUKAIHARA, TOSHIKAZU;  KASUKAWA, AKIHIKO
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Method for accurate growth of vertical-cavity surface-emitting lasers 专利
专利号: US5397739, 申请日期: 1995-03-14, 公开日期: 1995-03-14
作者:  CHALMERS, SCOTT A.;  KILLEEN, KEVIN P.;  LEAR, KEVIN L.
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