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Low temperature epitaxial growth of quaternary wide bandgap semiconductors 专利
专利号: US6911084, 申请日期: 2005-06-28, 公开日期: 2005-06-28
作者:  KOUVETAKIS, JOHN;  TSONG, IGNATIUS S. T.;  ROUCKA, RADEK;  TOLLE, JOHN
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半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2751356B2, 申请日期: 1998-02-27, 公开日期: 1998-05-18
作者:  井手 雄一
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青色半導体発光装置 专利
专利号: JP2720532B2, 申请日期: 1997-11-21, 公开日期: 1998-03-04
作者:  上山 智;  横川 俊哉;  斉藤 徹
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Substrate holder for MOCVD 专利
专利号: GB2277748B, 申请日期: 1997-09-24, 公开日期: 1997-09-24
作者:  NOBUAKI, , KANENO;  HIROTAKA, , KIZUKI;  MASAYOSHI, , TAKEMI;  KENZO, , MORI
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Method of processing an epitaxial wafer of InP or the like 专利
专利号: EP0665581A1, 申请日期: 1995-08-02, 公开日期: 1995-08-02
作者:  IWASAKI, TAKASHI, C/O OSAKA WORKS OF
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Method of manufacturing a group II-VI compound semiconductor 专利
专利号: GB2280309A, 申请日期: 1995-01-25, 公开日期: 1995-01-25
作者:  KENJI, SHIMOYAMA;  TOSHINARI, FUJIMORI;  HIDEKI, GOTO
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Method for coating cleavage plane of semiconductor laser type device 专利
专利号: JP1992294589A, 申请日期: 1992-10-19, 公开日期: 1992-10-19
作者:  HASHIMOTO JUNICHI
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Buried semiconductor laser element 专利
专利号: JP1990014591A, 申请日期: 1990-01-18, 公开日期: 1990-01-18
作者:  KITAMURA SHOJI
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Manufacture of semiconductor device 专利
专利号: JP1989248682A, 申请日期: 1989-10-04, 公开日期: 1989-10-04
作者:  TSUDA HIROSHI
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Semiconductor device and manufacture thereof 专利
专利号: JP1989246888A, 申请日期: 1989-10-02, 公开日期: 1989-10-02
作者:  IMANAKA KOICHI;  SATO FUMIHIKO
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