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| 使用纵横比俘获生长的硅上激光器结构 专利
专利号: CN106025799B, 申请日期: 2019-04-19, 公开日期: 2019-04-19
作者: 郑政玮; E·里欧班端; 李宁 ; D·K·萨达纳; 徐崑庭
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| 使用纵横比俘获生长的硅上激光器结构 专利
专利号: CN106025799B, 申请日期: 2019-04-19, 公开日期: 2019-04-19
作者: 郑政玮; E·里欧班端; 李宁; D·K·萨达纳; 徐崑庭
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| 硅基集成光收发模块芯片 专利
专利号: CN208656776U, 申请日期: 2019-03-26, 公开日期: 2019-03-26
作者: 刘露露; 刘柳; 陈伟
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| 硅基光波导芯片与垂直腔面发射激光器的封装结构 专利
专利号: CN208060764U, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2018-11-06
作者: 刘露露; 阮子良; 张浩; 温雪沁; 朱运涛
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| 一种半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201410479915.5, 申请日期: 2018-09-11, 公开日期: 2016-04-13
作者: 唐兆云; 杨萌萌; 许静; 王红丽; 唐波
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| 具有背向反射隔离器的集成激光器 专利
专利号: CN107820575A, 申请日期: 2018-03-20, 公开日期: 2018-03-20
作者: 郑学哲; A·V·克里什纳莫西; K·拉杰
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| 可调谐SOI激光器 专利
专利号: CN106104947A, 申请日期: 2016-11-09, 公开日期: 2016-11-09
作者: A.G.里克曼; A.齐尔基
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| 损耗调制式硅倏逝波激光器 专利
专利号: CN103119804B, 申请日期: 2016-04-13, 公开日期: 2016-04-13
作者: 约翰·E·鲍尔斯; 戴道鑫
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| 具有高击穿电压的HEMT及其制造方法 专利
专利号: CN201110116103.0, 申请日期: 2015-04-08, 公开日期: 2012-11-07
作者: 赵超; 罗军; 陈大鹏; 叶甜春
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| 一种基于绝缘体上硅的射频LDMOS晶体管结构 专利
专利号: CN201110007880.1, 申请日期: 2014-10-22, 公开日期: 2012-07-18
作者: 刘刚; 刘梦新; 毕津顺; 罗家俊; 韩郑生
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