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Vertical cavity surface emitting laser device having a higher optical output power 专利
专利号: US20060193361A1, 申请日期: 2006-08-31, 公开日期: 2006-08-31
作者:  CASIMIRUS, SETIAGUNG;  KAGEYAMA, TAKEO
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Fabrication method of a semiconductor laser device 专利
专利号: US6933159, 申请日期: 2005-08-23, 公开日期: 2005-08-23
作者:  KITO, MASAHIRO;  ISHINO, MASATO;  TODA, TOMOAKI;  NAKANO, YOSHIAKI
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Optical semiconductor device 专利
专利号: WO2004036659A1, 申请日期: 2004-04-29, 公开日期: 2004-04-29
作者:  ITO, YOSHIHIRO;  KADOTA, MICHIO
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Semiconductor laser and method for producing same 专利
专利号: US6633597, 申请日期: 2003-10-14, 公开日期: 2003-10-14
作者:  ABE, HIROAKI
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Semiconductor light emitting device and method of manufacturing same 专利
专利号: US6206962, 申请日期: 2001-03-27, 公开日期: 2001-03-27
作者:  KIJIMA, SATORU;  OKUYAMA, HIROYUKI
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化合物半導体装置の製造方法 专利
专利号: JP3066601B2, 申请日期: 2000-05-19, 公开日期: 2000-07-17
作者:  藤井 卓也
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Semiconductor light emitting device 专利
专利号: US5943355, 申请日期: 1999-08-24, 公开日期: 1999-08-24
作者:  SANAKA, YUMI;  IKEDA, MASAO
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多波長半導体レーザダイオード 专利
专利号: JP2819160B2, 申请日期: 1998-08-28, 公开日期: 1998-10-30
作者:  宮澤 丈夫;  永沼 充
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半導体レーザ素子 专利
专利号: JP2806533B2, 申请日期: 1998-07-24, 公开日期: 1998-09-30
作者:  坂根 千登勢;  瀧口 治久;  工藤 裕章;  菅原 聰
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半導体レーザ 专利
专利号: JP2758598B2, 申请日期: 1998-03-13, 公开日期: 1998-05-28
作者:  日野 功
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