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Semiconductor laser source 专利
专利号: US10340656, 申请日期: 2019-07-02, 公开日期: 2019-07-02
作者:  SCIANCALEPORE, CORRADO;  CASALE, MARCO
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Structure comprising a semiconductor strained-layer on a heat sink 专利
专利号: WO2019077210A1, 申请日期: 2019-04-25, 公开日期: 2019-04-25
作者:  ELBAZ, ANAS;  EL KURDI, MOUSTAFA;  AASSIME, ABDELHANIN;  BOUCAUD, PHILIPPE;  BOEUF, FRÉDÉRIC
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Group-III nitride devices and systems on IBAD-textured substrates 专利
专利号: US10243105, 申请日期: 2019-03-26, 公开日期: 2019-03-26
作者:  MATIAS, VLADIMIR
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High-q optical resonator with monolithically integrated waveguide 专利
专利号: US20180006424A1, 申请日期: 2018-01-04, 公开日期: 2018-01-04
作者:  VAHALA, KERRY;  YANG, KIYOUL;  OH, DONG YOON;  LEE, SEUNG HOON
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Nitride light emitting device of using substrate decomposition prevention layer and manufacturing method of the same 专利
专利号: US8404505, 申请日期: 2013-03-26, 公开日期: 2013-03-26
作者:  SONG, JUNE O
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A semiconductor laser device and a method for manufacturing a semiconductor laser device 专利
专利号: GB2494008A, 申请日期: 2013-02-27, 公开日期: 2013-02-27
作者:  SILKE TRAUT;  STÉPHANIE SAINTENOY
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N-type gallium-nitride layer having multiple conductive intervening layers 专利
专利号: US20130032836A1, 申请日期: 2013-02-07, 公开日期: 2013-02-07
作者:  CHEN, ZHEN;  FU, YI
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Compact, all solid-state, avalanche photodiode emitter-detector pixel with electronically selectable, passive or active detection mode, for large-scale, high resolution, imaging focal plane arrays 专利
专利号: US8320423, 申请日期: 2012-11-27, 公开日期: 2012-11-27
作者:  STERN, ALVIN GABRIEL
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Group-III nitride epitaxial layer on silicon substrate 专利
专利号: US8278125, 申请日期: 2012-10-02, 公开日期: 2012-10-02
作者:  CHEN, DING-YUAN;  YU, CHEN-HUA
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Group III nitride compound semiconductor on silicon and an epitaxial method of manufacturing the same 专利
专利号: EP1054442B1, 申请日期: 2011-11-30, 公开日期: 2011-11-30
作者:  KOIDE, NORIKATSU;  KATO, HISAKI
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